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gaasphem功率放大器的优化设计 0 功率放大器芯片 随着微波系统的开发，未来的发展趋势是精细、高可靠性和强干扰。毫米波波长比微波短,具有天线体积小、分辨率高、定向性强、信息量大、测量精度高、抗干扰能力强等特点,可以更好地满足各种需求。 Ka波段GaAs功率放大器MMIC技术日趋成熟,逐渐走向实用化阶段,对电路的工作频率、功率、效率等参数提出了越来越高的要求。以Triquint,Mimix,Agilent,Hittite,M/Com,UMS和Fujitsu等为代表的厂家,其毫米波功率放大器芯片已大量应用于雷达、导引头、卫星通信、电子对抗和空间探测等系统中。Mimix 公司的XP1073在33.3～36.0 GHz频段脉冲输出功率大于37 dBm、功率附加效率大于17%,Triquint 公司的TGA4516在36～40 GHz连续波输出功率大于32.5 dBm、功率增益12.5 dB。 本文叙述了一款36～40 GHz高效率GaAs功率放大器MMIC的研制过程,在突破高效率电路设计及加工工艺的基础上,研制了Ka波段高效率GaAs功率放大器MMIC,电路在36～40 GHz下,饱和输出功率大于2 W,功率增益大于17 dB,功率附加效率大于20% 1 材料结构设计 利用器件模拟软件进行外延材料结构参数的优化设计,选取双平面δ掺杂PHEMT结构(图1),可以有效提高沟道区浓度和迁