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gaas和sic光导开关的比较 脉冲功率技术的本质是在时间和空间上压缩能量，以获得高功率输出和高能量密度。开关在脉冲功率系统中起着重要的作用,不仅决定了脉冲功率装置的输出特性,在某种程度上甚至是脉冲功率系统成败的关键。光导半导体开关(PCSS光导开关)是超快脉冲激光器和光电半导体相结合形成的新型器件,通过触发光对半导体材料电导率的控制实现开关的关断和导通。与脉冲功率技术中传统的开关相比较,光导开关具有极快的闭合时间(ps量级)、极小的时间抖动(ps量级)、低开关电感(亚nH量级)、高重复频率,不受电磁干扰,重量轻,体积小等优点。常见的光导开关结构有横向结构、平面结构和相对电极结构。光导开关的发展与半导体材料技术的发展密切相关。在半导体材料的发展过程中,一般将以硅(Si)为代表的半导体材料称为第一代半导体材料;将以砷化镓(GaAs)为代表的化合物半导体称为第二代半导体材料;将以碳化硅(SiC)为代表的宽禁带化合物半导体称为第三代半导体材料。与之相对应,相继出现了Si光导开关、GaAs光导开关和SiC光导开关。本文概述了GaAs和SiC光导开关的研究进展,介绍了光导开关在脉冲功率技术中的应用,提出了对光导开关进一步发展的关键技术及其展望。 1 光导开关工作机理 1972年S. Jayaraman,C. H. Lee等人观察到用ps量级的光脉冲照射光电半导体时其响应时间也为ps量级,为