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内部存储器 存储器位元操作 S.J.T.U. 存储器类型 种类 可擦除性 写机制 易失性 随机存储器(RAM) 读-写存 储器 电，字节级 电 易失 只读存储器(ROM) 只读 存储器 不能 掩模 不易失 可编程ROM (PROM) 电 可擦 PROM(EPROM) 读多次 存储器 紫外线，字节级 电可擦 PROM(EEPROM) 电，字节级 快闪存储器 电，块级 S.J.T.U. 动态RAM v用电容充电来存储数据 v电容漏电 v需要周期充电(刷新) v构造简单，成本较低 v速度较慢 v用于主存储器 S.J.T.U. 动态RAM位元 S.J.T.U. 静态RAM v通过开关电路存储数据 v没有漏电现象 v不需要充电(刷新) v更复杂的构造 v每位体积较大，成本更高 v速度较快 v用于Cache S.J.T.U. SRAM vs. DRAM v都是易失的 § 需要持续供电 v动态 § 结构简单，体积较小 § 密度更高 § 成本更低 § 需要刷新 § 适用于大容量存储器 v静态 § 速度更快 § 适用于Cache S.J.T.U. ROM的类型 v在制造过程中固化数据 § 对于小批量的生产，成本较大 v可编程(一次) § PROM § 使用特殊设备写入 v以读为主(Read Mostly) § 可擦PROM (EPROM) • 通过紫外线擦除 § 电可擦PROM (EEPROM) • 灵活擦写 • 写入速度较慢 § 快闪存储器(Flash Memory) • 写入速度较快 • 以块为单位写入 S.J.T.U. 芯片组织 v16Mbit的芯片可以组织成1M*16bit v16Mbit的芯片也可以组织成16M*1bit v16Mbit的芯片还可以组织成2048*2048*4 bits的阵列 § 多条行地址和列地址 S.J.T.U. 256KB存储器组织 (位扩展) S.J.T.U. 1MB存储器组织 (字位扩展) S.J.T.U. 纠错 v硬故障 § 永久性的损坏 v软差错 § 随机的，非破坏性的 v可使用纠错码检测 § 数据M位，校验码K位，实际存储M+K位 S.J.T.U. 文氏图(汉明码示例) S.J.T.U. 纠错码 v和数据共同存放在存储器中 v故障字：两个输入的异或 v纠错码/故障字的长度 § 对于纠错1位 § 2^K - 1 = M + K • M：数据长度s • K：纠错码长度 S.J.T.U. 单纠错 单纠错/双检错 数据位 校验位 增加的百分率 校验位 增加的百分率 8 4 50 5 62.5 16 5 31.25 6 37.5 32 6 18.75 7 21.875 64 7 10.94 8 12.5 128 8 6.25 9 7.03 256 9 3.52 10 3.91 S.J.T.U. 位的位置 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 位的编号 1100 1011 1010 1001 1000 0111 0110 0101 0100 0011 0010 0001 数据位 D8 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 校验位 C8 C4 C2 C1 S.J.T.U. 校验位计算 vC1 = D1 ⊕ D2 ⊕ D4 ⊕ D5 ⊕ D7 vC2 = D1 ⊕ D3 ⊕ D4 ⊕ D6 ⊕ D7 vC4 = D2 ⊕ D3 ⊕ D4 ⊕ D8 vC8 = D5 ⊕ D6 ⊕ D7 ⊕ D8 S.J.T.U.