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低维结构氮化物量子点的研究进展 在过去的10年里，小于2个自由度的二维零维结构引起了人们的兴趣。所谓一维结构指的是限制载流子只能在一个方向自由运动的量子线,零维结构是限制载流子的自由度为零的量子点。研究发现,一维受限的量子阱的电子态密度呈台阶形状,而量子点和量子线的电子态密度分别呈现出一系列孤立的尖峰形状和线形状,因而量子点、量子线比量子阱更容易达到激光作用所必须的粒子数反转,故更适合制作激光器。除此之外,量子点材料还可以用于制作单电子晶体管和光存储器等。半导体低维结构材料正是因为有着无法比拟的奇特电学、光学性质,吸引着众多研究者的关注和研究。 笔者综述了镓基砷化物和氮化物材料量子点的发展进程、制备、应用及展望。 1 投加量点激光器 镓基砷化物量子点的发展大致可划分为三大过程,第一过程(1982–)主要是探索量子点的制备方法:一是光刻技术和离子刻蚀技术制备量子点;二是自组织、S-K模式制备量子点。第二过程(1991–)主要是探索量子点的物理特性及其应用。第三过程(1995–)主要是探索新颖的制备量子点方法和多元合金量子点及其应用的研制。 1986年K.Kash等人借助分子束外延制备GaAs/AlGaAs量子阱,然后对量子阱进行电子刻蚀图案,形成超小结构并命名为量子条和量子盘。同年,J.Cibert根据同样的方法制备了一维和零维结构,并命名为量子阱线和量子阱点。由于电子束光刻技术和