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gaas超宽带6bi数字移相器的设计与制作 0 gaasmmic移相器简介 单-微波电路（mmc）是一种将源和无源器生产在同一发热材料上的微波电路。这一概念最早可以追溯到1974年, 美国Plessey公司以Ga As材料作为载体, 用Ga As场效应晶体管 (field effect transistor, FET) 作为有源器件, 成功研制出了世界上第一块MMIC放大器。随后掀起了MMIC技术的研究热潮, 相关器件开始向高频率和高性能的方向发展。 单片数字移相器是无线通信系统中的重要组成部分。早期一般采用的是铁氧体移相器, 以及采用pin管设计的半导体移相器, 为满足各种尖端应用的要求, Ga As MMIC移相器以其体积小、功耗低和微波性能优异等特点, 得到了广泛的应用。目前, 国内市场上的MMIC移相器还主要集中在C波段、S波段和Ku波段。 本文研制了一款超宽带的6 bit数字移相器, 工作频率为8~12 GHz, 移相器由5.625°, 11.25°, 22.5°, 45°, 90°和180°6个基本移相位组成, 通过对不同的拓扑结构进行分析, 并合理地安排每一个基本移相位, 最终在该频段实现了设计指标。 1 单段位移检测装置的设计 1.1 移相器的类型 依据不同的定义方法, 移相器可以划分为不同的种类。根据工作方式, 可以分为传输型和反射型;根据控制方式, 可以分为模拟式和数字式;根据电路拓扑结构, 移相器有加载线型、开关线型和高通/低通型。数控移相器是由多个基本移相位组成, 其中每一个基本移相位由Ga As FET开关管来控制其工作状态 (参考态/移相态) 的切换。 1.2 原生业务的稳定性 Ga As FET开关是数控移相器的主要构成元素, 它作为一个三端器件, 可以通过对栅偏置电压的控制来改变源漏间电阻, 开关器件的寄生效应限制着它的高频性能。 图1为开关元件的等效模型, 本文通过模型制版、模型测试和参数提取3个步骤完成了开关元件的建模过程。Ga As FET的控制电压为0 V/-5 V。简单来说, 当栅压为0 V时, 可以将其等效为一个小电阻;当栅压为-5 V时, 可以将其等效为一个电容和一个大电阻的并联。开关元件直接影响了移相器的插损及移相量, 因此对应各移相位中开关的选取, 要综合考虑以上两个指标。 1.3 t型低频通结构的实现 在移相电路中, 可以作为移相器的电路拓扑有很多种。但是作为实际应用的电路, 需要兼顾各个性能上的要求。实际的电路就几种可作选择, 而每一种结构在带宽和移相量等方面都各有优缺点, 本文中主要选取宽带结构来设计。 针对本文设计的6 bit数字移相器, 按每个基本控制位移相量的大小分为3种拓扑结构来设计, 对于5.625°移相位, 可以采用图2中的并联微带电感结构, 该结构中所用的电抗元件少、结构简单, 由于设计频带较宽, 用一段微带线代替了串联电感, 因而降低了寄生参量的影响, 避免了不必要的谐振。这种电路能在保证驻波性能和较小的插入损耗条件下, 产生小的移相量。 对于中等移相量11.25°, 22.5°和45°3个移相位采用П型结构来实现, 如图3所示。Q1和Q2两个开关管分别采用互补的两个电压控制, 即当Q1导通时, Q2关断, 此时电路相当于直通状态;当Q1关断、Q2导通时, 此时电路具有了高通特性, 使相位超前, 从而产生了一定的移相量。通过调节电路中电容电感的大小, 最终利用此结构设计出11.25°和22.5°两个移相位, 而45°移相位则采用了两个22.5°移相位的串联形式。 对于90°和180°移相位, 采用多阶高/低通结构来实现。如图4所示, 对三阶的T型高低通结构进行分析, 当Q1导通Q2关断时, 微波信号通过低通网络, 相位滞后且随频率升高而增大;当Q1关断Q2导通时, 微波信号通过高通网络, 相位超前且随频率升高而减小。因而两者相位变化相互补偿, 使高低通结构可以在较宽的频带上实现平坦的相位移频率响应。 图5所示为T型高低通简化结构, 图中L1和C1分别为低通结构的电感和电容;L2和C2分别为高通结构的电感和电容。 以低通T型结构为例, 分析它的网络参数, 其矩阵为 式中ω为角频率。 要使电路匹配, 则S11=S22=0, 则有B/Z0=CZ0, 代入矩阵参数B和C, 可得 式中Z0为特性阻抗。 用矩阵来表示传输系数为 设该低、高通网络的传输相位分别为φ1和φ2, 在式 (3) 中代入矩阵参数, 可得低通网络的参数为 同理, 可以得到高通网络的参数为 由高通网络和低通网络之间的变换引起的相移为Δφ=φ1-φ2, 当取φ1=-φ2=Δφ/2时, 可以由式 (4) 和式 (5) 计算出高低通网络中的各个电感值和电容值, 并以此作为电路的初值来进行电磁仿真及优化。