模拟电子技术基础试卷及答案.pdfVIP

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模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空(18 分) 1 .二极管最主要的特性是单向导电性 。 2 .如果变压器二次(即副边)电压的有效值为 10 V ,桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ,经过电容滤波后为 12 V , 二极管所承受的最大反向电压为 14 V。 , u u u u u 3 .差分放大电路,若两个输入信号 I1 I2 ,则输出电压, O 0 ;若 I1 = 100 V I = 80 V 则差模输入电压 u = 20 V ;共模输入电压u = 90 V。 2 Id Ic 4 .在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz 时,可选用 低通 滤波器;有用信号频率高于 10 kHz 时,可 选用 高通 滤波器;希望抑制 50 Hz 的交流电源干扰时,可选用 带阻 滤波器;有用信号频率为某一固定 频率,可选用 带通 滤波器。 A A A 4 5 .若三级放大电路中 u1 u2 30 dB , u3 20 dB ,则其总电压增益为 80 dB ,折合为 10 倍。 I P 6 .乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流 C 0 、静态时的电源功耗 DC = 0 。这类功放的 能量转换效率在理想情况下,可达到 78.5% ,但这种功放有 交越 失真。 7 .集成三端稳压器CW7915 的输出电压为 15 V。 二、选择正确答案填空(20 分) 1 .在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ,-10 V ,-9.3 V ,则这只三极管是( A )。 i /mA D 5 A .NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 -4 0 u /V GS 2 .某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D )。 A .P 沟道增强型 MOS 管 B、P 沟道结型场效应管 C、N 沟道增强型 MOS 管 D、N 沟道耗尽型 MOS 管 3 .通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为

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