45nm双大麦低k材料铜热阻焊工艺中电迁移失效分析.docxVIP

45nm双大麦低k材料铜热阻焊工艺中电迁移失效分析 0 半导体技术节点电迁移技术的应用进展 金属能源位移的问题用于显示金属互联线的断裂和焊接以及芯片中的一些失败原因。当电子流过金属线时,将同金属线的原子发生碰撞,碰撞导致金属的电阻增大,并且会发热。在一定时间内如果有大量的电子同金属原子发生碰撞,金属原子就会沿着电子的方向进行流动。这将会导致两个问题:第一,移动后的原子将在金属上留下一个空位,如果大量的原子被移动,则连线断开;第二,被移动的原子必须停在某一个地方,如果这些原子停在某个地方使别的金属连线短路,则芯片的逻辑功能就被改变,从而发生错误。 随着半导体技术节点的不断缩小,要求在更小的特征尺寸下,在工艺技术上保证铜互连中扩散阻挡层和铜种子层良好的阶梯覆盖且没有缺陷显得愈加困难。这对铜互连线的电迁移可靠性提出了更具有挑战性的要求。在45 nm节点及以下,由于更小的铜布线特征尺寸及其晶界所引起的逆流电迁移双峰现象尤为突出。近几年,很多研究报道了有关溅射淀积扩散阻挡层对电迁移时间的影响,还有一些有关分析电迁移双峰现象的早期失效时间和高密度电流的重要理论。 本文主要研究在45 nm铜线互连工艺中双大马士革结构定义的深宽比(aspect ratio, AR)下淀积扩散阻挡层和铜种子的阶梯覆盖对逆流电迁移的影响,并分析讨论了由此所引起的早期失效机理,提出了通过优化双大马士革结构合适的介质层厚度、浅槽的深度以及通孔的关键尺寸可以有效地降低或消除逆流电迁移的双峰特性的解决方案。 1 性能测试结构 本文研究基于45 nm双大马士革铜工艺技术,其中介电质为低k(约2.7)介质材料掺碳氧化物(SiCOH),也称为黑钻石(black diamond,BD)。逆流电迁移测试结构如图1所示,电子沿着箭头方向流动。为典型的Via1-Metal2(V1-M2)电迁移测试结构,电子从通孔向上流向上面的金属线,该金属线宽度遵循最小的设计规则。典型的Cu通孔Via1直径为0.07 μm;上层Cu金属布线(金属2)的线宽为0.07 μm、长200 μm;位于Via1下面的Cu金属布线(金属1)的线宽0.4 μm、长度200 μm,仅起连接作用;所有金属线(金属1和金属2)表面均覆盖有SiCN和TaN/Ta为铜互连的扩散阻挡层和粘结层。电迁移测试是在封装环境下,加以325 ℃的高温和0.159 mA/μm的电流密度,当电阻增加10%时作为失效标准。其中,电迁移测试分为顺流和逆流测试两种,顺流是指电流从金属1流向金属2 (电子流方向相反),逆流则反之。 2 逆能源位移的双效应和机械分析 2.1 回流电迁移纳米失效机理 逆流电迁移双峰失效现象主要是指对比普通顺流电迁移失效现象而言,如图2所示横轴为失效时间,圆点为顺流EM的正常分布,显示为由连续的点分布而成的一条斜直线,没有出现明显的拐点。另外一条曲线为逆流EM的分布,可以发现分布不是一条直线,出现了2个明显的拐点,即B和C,导致较差的电迁移数据标准差,称此现象为双峰失效。 逆流电迁移双峰失效通常显示为早期和中期失效,主要是由于电迁移效应分别在通孔中和通孔与浅槽连接斜面处形成的空洞所致(如图3所圈区域),分别称之为通孔失效和斜面失效。有时这两种失效现象会同时出现在单一的晶圆上,但一般来讲,斜面失效要晚于通孔失效,这是由于电子流是从通孔流向斜面,如果电迁移测试出现双峰现象,必然先是发生通孔失效,斜面失效在后。举例而言,在图2中,失效时间tF小于3 h属于通孔失效机理(样品A),而tF为4～10 h时属于斜面失效(样品B)。相反,tF10 h的后期失效则是指电迁移所致的空洞成核迁移在上层金属连线(金属2)中(样品C和D),其失效机理在其他文献中已有论述。同时, 发现绝大多数通孔与斜面失效点位于晶圆的边缘区域(如图4样品A和B),这可能与Cu阻挡层Ta薄膜沉积时的阴影边缘效应有关。图5为淀积薄膜Ta的测试电阻值,阻值越大代表厚度越薄。由于薄膜淀积受磁场和电压等因素影响,晶圆边缘的磁场和电压相对中间较弱,从而导致在晶圆边缘淀积的薄膜厚度相比于中间更薄,此现象即为薄膜淀积工艺的阴影边缘效应。 2.2 斜面通孔结构的早期失效 早期研究发现逆流EM双峰现象很难通过优化淀积扩散阻挡层和铜种子层来改善,为验证通孔结构参数对双峰现象的影响,以及逆流EM双峰现象与通孔特殊的结构的关系,定义了一些双大马士革结构的关键参数,包括通孔曝光尺寸D2和底孔尺寸D1,浅槽(即金属铜布线)深度HT及浅槽与通孔总深度HD(即介质层总高度)等(如图6)。其中用两个重要因素来代表不同的早期失效,其一为通孔的深宽比γV=HD/D1(刻蚀后介质层的高度除以通孔底部尺寸),另外一个因素是斜面γS=HT/D2(浅槽刻蚀后的沟槽深度除以通孔在斜面开口处的尺寸)。这里D1