“T”型和“I”型三电平的效率问题.docxVIP

2018/12/15 IGBT 应用之家 深 度 | 1 6KHz 是 怎 么 回 事 ? | “T” 型 和 “I” 型 三 电 平 的 效 率 问 题 原创：Tristan IGBT应用之家11月19日 NPC 三电平详谈-“T型和”I “型比较 01 前 言 网上查找三电平相关的资料，特别是两种三电平结构的差异，经常能看到这样的一 个结论。那就是，当开关频率小于16kHz 的时候， ”T 型 NPC 的效率比 “I”型NPC 的效 率高；当开关频率高于16kHz 的时候， “I”型NPC 的效率会更高。 作者表示，怎么会有这么回事?那就先算一下试试。正好我前段时间做了个软件， 可以计算两电平和三电平的损耗，计算使用的芯片类型可以自由配置。下面各配置一 个 “T”型和 “I”型的300A 的模块。顺便也基于 “T”型模块的竖管来配置一个两电平的 模块。 先配置一个 “I”型的模块，采用以下芯片： T1T4:IGC30T65U8S T2T3:IGC30T65U8V D1-D6:SIDC26D65C8 再配置一个T 型的模块，采用如下芯片： T1T4:IGC99T120T8RQ T2T3:IGC30T65U8V D1D4:SIDC53D120H8 D2D3:SIDC26D65C8 下面我们计算一下，在不同开关频率下两个三电平模块以及两电平模块的表现。并 绘制不同频率下的效率曲线如下图1(输出电流：200A; 交流电压：400V; 直流母线电 压：850V; 工频，功率因数为1): /s?biz =MzU0Mzk4MTYzNw==mid=2247483673idx=1sn=b2da3c854e4c93e59a6c8c226f35b3d2chksm=fb02683... 1/9 2018/12/15IGBT 应用之家 2018/12/15 图1功率因数为1的时候效率对比图 从上图中可以看出，在频率较高的时候， “I”型三电平效率会高于 “T”型三电 平；在低频段 “T”型三电平的效率会更高一些。分界点大约在6kHz 左右。这样看，不用 大于16kHz, “I”型的效率就比 “T”型的高咯。同时，对于两电平结构，效率要明显低 得多。不过这些计算受到器件的影响极大。比如上面 “I”型三电平的IGBT 如果T1T4 和 T2T3 的芯片类型调换一下，效率就会降低很多，甚至在频率较高的时候仍然效率低 于 “T ”型。那么下面，我们从结合器件来分析一下两种三电平结构和两电平拓扑结构的 损耗特征和区别。 02 损耗分析 我们谈损耗首先是要基于半导体器件的，碳化硅的东西我还没有细致的研究，这 里主要针对硅基的IGBT 来讲。当我们讨论IGBT 模块的损耗的时候，需要关注的主要是 输出特征曲线和开关损耗曲线，如下图1所示(以英飞凌FF1400R12IP4 为例)。下图 左侧是IGBT 的输出特性曲线决定了器件的导通损耗，对于导通损耗由于器件的特性， 两个650V 的IGBT 串联的饱和压降一般是远大于单个1200V 器件的；右侧是IGBT 的开关 损耗特性曲线，决定了器件的开关损耗。 一般的，开关损耗与IGBT 两端电压相关，开 关电压降低一半，开关损耗也至少降低一半。同等电压情况下，低压IGBT 的开关损耗 也是低于高压IGBT 的。对于DIODE 也是类似的曲线以及相同的特性，就不再列出。因 此，下面的讨论基于以下三个基本事实前提： 1,两个低压器件串联的饱和压降高于一个高压器件； 2,同等条件下低压器件的开关损耗小于高压器件； 3,母线电压降低一半，器件的开关损耗至少降低一半。 /s?bi z=MzU0Mzk4MTYzNw==mid=2247483673idx=1sn=b2da3c854e4c93e59a6c8c226f35b3d2chksm=fb02683... 2/9 E(mj2018/12/15 E(mj IGBT 应用之家 lc[A]VaM lc[A] 图2模块的输出特性曲线和损耗特性曲线 对于逆变器来讲，电压电流总共有四种状态，但主要是两种，即为电压电流 同相位的逆变状态和电压电流反相位的整流状态，如下图所示。下面我们分别讨论 纯逆变状态和纯整流状态的效率特性。 图3电压电流的关系 03 逆变状态损耗分析 三电平逆变状态的电压和电流的实际波形如下图4。每相桥臂输出两种状态，正电 压和零电压。同时每个正脉冲电压分别伴随着一个开通和一个关断过程。两电平逆变状 态则输出正电压和负电压。同时每个正脉冲电压分别伴随着一个开通和一个关断过程。 电流与电压同相位。 /s? biz=MzU0M