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均匀螺位错分布的碳化硅体积单晶的生产方法和碳化硅衬底.pdfVIP

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  • 2023-11-18 发布于四川
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均匀螺位错分布的碳化硅体积单晶的生产方法和碳化硅衬底.pdf

    本方法旨在通过升华生长法生产至少一种SiC体积单晶(2)。在开始生长之前，将具有生长表面(18)的SiC籽晶(8)放入生长坩埚的晶体生长区中，并将SiC源材料引入生长坩埚的SiC存储区中。在生长期间，在生长温度达到2,400℃和生长压力介于0.1mbar和100mbar之间时，通过SiC源材料的升华以及通过将升华的气态成分输送到晶体生长区，产生SiC生长气相，其中SiC体积单晶(2)通过SiC生长气相沉积到SiC籽晶体(8)上而生长。在开始生长之前，在生长表面(18)处检查SiC籽晶(8)是否存

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117083420 A (43)申请公布日 2023.11.17 (21)申请号 202280022526.2 阿恩德-迪特里希 ·韦伯　 (22)申请日 2022.03.1

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