半导体芯片制造技术-全套PPT课件.pptx

第一章 半导体芯片制造概述;第一节半导体工业发展概述 ;二、晶体管的发明 导电性能介于导体和绝缘体之间的物质，就叫半导体。晶体管就是用半导体材料制成的，这类材料最常见的便是锗和硅两种。 1947年12月23日，美国科学家巴丁博士、布菜顿博士和肖克莱博士，在他们发明的器件中通过的一部分微量电流，竟然可以控制另一部分流过的大得多的电流，因而产生了放大效应。这个器件，就是在科技史上具有划时代意义的成果——晶体管。;二、晶体管的发明 ;三、集成电路的产生 1958年12月在美国德州仪器公司（TI） 工作的基尔比（Jack Kilby） 成功地制作出世界上第一片集成电路。;四、工艺发展趋势及摩尔定律（Moore’s Law） 推动电子工业革命的工艺改进可以归为两大类：工艺和结构。 工艺的改进是指以更小尺寸来制造器件和电路，并使之具有更高的密度，更多的元器件数量和更高的可靠性； 结构的改进是指新器件设计上的发明使电路的性能更好，实现更佳的能耗控制和更高的可靠性。;四、工艺发展趋势及摩尔定律（Moore’s Law） 英特尔（Intel）公司的创始人之一戈登?摩尔（Gordon Moore）在1964年预测了集成电路的发展趋势，提出了集成电路的集成度会每十八个月翻一番，即单个芯片上晶体管的数目每十八个月翻一番，这个预言后来成为著名的摩尔定律并被证明十分准确。 集成度的提高主要是三个方面的贡献：一是特征尺寸不断缩小，二是芯片面积不断增大，三是集成电路结构的不断改进。;第二节 半导体材料基础 一、半导体材料基本性质 1.半导体的结构及特性 正四面体结构；共价键。 导电能力介于导体和绝缘体之间，受掺杂、温度和光照的影响十分显著。;第二节 半导体材料基础 2.掺杂半导体的导电性 本征半导体； 掺杂半导体。 N型半导体； P型半导体； PN结。;二、半导体材料分类 对半导体材料可从不同的角度进行分类，例如根据其性能可分为高温半导体、磁性半导体、热电半导体；根据其晶体结构可分为金刚石型、闪锌矿型、纤锌矿型、黄铜矿型半导体；根据其结晶程度可分???晶体半导体、非晶半导体、微晶半导体，但比较通用且覆盖面较全的则是按其化学组成的分类，依此可分为：元素半导体、化合物半导体和固溶半导体三大类，如表1-1所示。;;三、晶体 固体材料是由大量的原子（或离子）以一定的方式排列组成的，原子的排列方式称为固体材料的结构。固体材料按其结构可以分为晶体、非晶体。 1.晶体的共性 ⑴长程有序 长程有序是晶体最突出的特点。晶体中的原子部是按一定规则排列的，这种至少在微米数量级范围的有序排列，称为长程有序。 ;;⑵自限性 晶体具有自发地形成封闭几何多面体的特性，称之为晶体的自限性。 ;⑶各向异性 晶体的物理性质随着晶面的方向不同而不同，称为晶体的各向异性。 ;⑷对称性 晶体在某几个特定的方向上所表现出的物理、化学性质完全相同。在晶体中，如果沿某些特定的方向原子排列的密度相同，则沿这些方向的性能相同。 ;⑸固定的熔点;2. 晶体的缺陷 晶体缺陷按缺陷的几何尺寸可分为点缺陷，如空位、间隙原子；线缺陷，如位错；及面缺陷，如晶粒间界和堆垛层错等。;第三节 半导体生产污染控制 一、污染物种类 1.颗粒污染物 颗粒包括空气中所含的颗粒、人员产生的颗粒、设备和工艺操作过程中使用的化学品产生的颗粒等。在任何晶片上，都存在大量的颗粒。有些位于器件不太敏感的区域，不会造成器件缺陷，而有些则属于致命性的。根据经验得出的法则是：颗粒的大小要小于器件上最小的特征图形尺寸的1/10，否则，就会形成缺陷。 ;2.金属离子 在半导体材料中，以离子形态存在的金属离子污 染物，我们称之为可移动离子污染物(MIC)。这些金属 离子在半导体材料中具有很强的可移动性，即使在器 件通过了电性能测试并且从生产厂运送出去，金属离 子仍可在器件中移动从而造成器件失效。遗憾的是， 绝大部分化学物质中都有能够引起器件失效的金属离 子。最常见的可移动离子污染物是钠。钠离子同时也 是在硅中移动性最强的物质，因此，对钠的控制成为 硅片生产的首要目标。MIC的问题对MOS器件的影响 更为严重。有必要采取措施研制开发MOS级或低钠级 的化学品。这也是半导体业的化学品生产商努力的方 向。;3.化学物质 化学物质指半导体工艺中不需要的物质。这些物 质的存在将导致晶片表面受到不需要的刻蚀，在器件 上生成无法除去的化合物，或者引起不均匀的工艺过 程。最常见的化学物质是氯。在工艺过程用到