集成CMOS电路-第六章-放大器的频率特性.pdfVIP

CMOS模拟集成电路设计 Design of Analog CMOS Integrated Circuit Oct.2013 郑然 zhengran@nwpu.edu.cn 西北工业大学航空微电子中心 嵌入式系统集成教育部工程研究中心 301 本章内容 第六章 放大器的频率特性 CMOS模拟集成电路设计 第六章放大器的频率特性 Copyright 2013, zhengran 2 本章内容  6.1 密勒效应  6.2 传输函数估算  6.3 共源级的频率特性  6.4 差动对的频率特性  6.5 源跟随器的频率特性  6.6 共栅级的频率特性  6.7 共源共栅级的频率特性 CMOS模拟集成电路设计 第六章放大器的频率特性 Copyright 2013, zhengran 3 引言 本章之前，我们研究了一些类型的放大器，但都局限于其低 频特性。忽略了器件电容及负载电容的影响。事实上，模拟电 路决定电路速度的频率特性，与电路的其他性能增益、功耗和 噪声等是互相制约的。本章就是要深入学习一下各种电路的频 率特性，从而了解电路各性能指标之间的制约关系。 CMOS模拟集成电路设计 第六章放大器的频率特性 Copyright 2013, zhengran 44 6.1 密勒效应 密勒效应(密勒定理) 利用电流相等的关系，将X ，Y之间的浮动阻抗Z分解为对地 阻抗Z1，Z2 。 V −V V −V Z Z X Y X Y ⇒Z1 V , Z2 V Z Z Z 1− Y 1− X 1 2 V V X Y 在阻抗Z与X,Y之间的主通路并联的情况下，这种转换是正确 和有用的。 CMOS模拟集成电路设计 第六章放大器的频率特性 Copyright 2013, zhengran 55 6.1 密勒效应 例：计算下图(a) 电路的输入电容 使用密勒定理将电路转换为(b)，其中 1 1 Z1 , Z2 −1 (1+A)C s (1+A )C s F F 输入电容Z1约为CF 的A倍，输出电容约为CF 。 CMOS模拟集成电路设计