温度对pn结反向饱和电流的影响.docxVIP

温度对pn结反向饱和电流的影响 使用电压方程i.is[exp（qu，kt）-1]来解决实际问题，首先要求出反向饱和和电流。但是在目前的大学物理实验中,对PN结反向特征实验精度不高,效果不够理想;并且PN结反向饱和电流的测量方法目前还存在一些不够明确的观点。有的人认为应将二极管反向电压从“1～9 V取值”,然后根据反向特性数据可求得二极管的反向饱和电流值;有的人则认为在测量二极管反向伏安特性时应“从零开始逐渐增加电源电压,读取二极管两端电压每改变1 V时,流过二极管的电流值,一共测10组左右数据”;而有的人认为,取1 V时,“反向电流达到饱和”;还有的人认为“无论是硅二极管还是锗二极管,在反向电流达到饱和之前都存在多个电流数值保持不变的区段,找最后一个电流数值保持不变的数值,作为二极管的饱和电流值。”但在实际测量时,如果反向电压变化间隔较大,反向电流一直随反向电压的增大而增大,按照前两种方法就无法得到饱和电流值。第三种方法仅是理论方面的估计,而各种二极管的实际情况差异较大,都取1 V不符合实际情况。第四种方法是由于作者疏忽了温度对二极管反向饱和电流的影响,导致二极管反向电流已经达到饱和还在那儿寻找电流不变的区段,最后找到的饱和电流值只是随着环境温度变化了的饱和电流值。利用通常的方法测量二极管反向饱和电流,存在好多问题,本文利用上海复旦天欣科教仪器有限公司研制的FD-PN-4型PN结物理特性实验仪,对二极管反向饱和电流进行了精确测量,并且研究了二极管的反向饱和电流与温度之间的关系,证明此关系遵循指数分布规律。 1 硅金属基导接合体pn 由半导体物理学知识可知,PN结的正向电流—电压关系满足: I=Is[exp(qU/kT)-1] (1) 式(1)中I是通过PN结的正向电流,Is是反向饱和电流,T是热力学温度,q是电子的电量,U为PN结正向压降。由于在常温(例300 K)时,kT/e≈0.026 V,而PN结正向压降约为十分之几伏,则exp(qU/kT) 1,式(1)括号内-1项完全可以或略,于是有: I=Isexp(eU/kT) (2) 为了准确测定PN结反向饱和电流,消除耗尽层复合电流、表面层电流对实验的影响,采用硅三极管接成共基极线路,此时集电极与基极短接,集电极电流Ic中仅仅是扩散电流。复合电流主要在基极出现,测量集电极电流时,将不包括它。本实验中选取性能良好的硅三极管(TIP31c型),实验中又处于较低的正向偏置,表面电流影响也完全可以或略,所以此时集电极电流与结电压将满足式(2)。这样: I=Ic(3) 由式(2)、式(3)得 Ic=Isexp(eU/kT) (4) 由图2可知 Ic=U2R(5)Ιc=U2R(5) U=U1(6) 由式(4)、式(5)、式(6)得 U2R=Isexp(eU1/kT)(7)U2R=Ιsexp(eU1/kΤ)(7) 对式(7)两边取自然对数得 1nU2=1nIs+1nR+eU1kT(8)1nU2=1nΙs+1nR+eU1kΤ(8) 若测得U1、1nU2值,利用最小二乘法处理数据,求得截距,这里R=106Ω,从而求得PN结反向饱和电流Is。 2 实验内容 2.1 变压器温度测量 2.1.1 实验装置如图1所示,上海复旦天欣科教仪器有限公司研制的FD-PN-4型PN结物理特性实验仪一整套,实验线电路图如图2所示。图2中U1为三位半数字电压表,U2为四位半数字电压表,TIP31c型为带散热板的功率三极管,调节电压的分压器为多圈电位器,为保持PN结温度与周围环境温度一致,把TIP31c型三极管浸没在盛有变压器油干井槽中,变压器温度用铂电阻进行测量。 2.1.2 设定温度,待PN结与油温度一致并且稳定时,记录该温度,测量对应温度下三极管发射极与基极之间电压U1和对应电压U2。U1的值约从0.300 V至0.450 V范围内每隔0.010 V测一点数据,约测10～15个数据点。 2.1.3 查出对应U2的1nU2值,这样得到U1、对应温度下的1nU2值。利用最小二乘法处理数据,求得截距a=1nIs+1nR,从而求得对应温度下PN结反向饱和电流Is。 2.2 极管发射极与基极之间电压关系 2.2.1 多次改变干井恒温器温度,温度间隔3℃～5℃,待PN结与油温度一致并且稳定时,记录该温度,重复测量对应温度下三极管发射极与基极之间电压U1和对应电压U2。重复3.1.3步,计算出对应温度下PN结反向饱和电流Is。 2.2.2 曲线拟合求经验公式:对已记录的温度t和对应温度下的PN结反向饱和电流Is各对数据,以t为自变量,Is为因变量,分别进行线性函数Is=a+bt、乘幂函数Is=atb和指数函数Is=aexp(bt)的拟合,确定出拟合得最好的,说明其遵循那一种分布规律