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- 2023-11-25 发布于四川
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本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体制造技术领域，半导体结构包括衬底、栅导电层及栅介质层，衬底内形成有沿第一方向间隔排布的第一有源区、第二有源区及用于形成存储器的第三有源区，第一有源区与第二有源区用于形成不同类型的晶体管；栅导电层包括平直部及设置于平直部与衬底之间且底面不齐平的第一凸出部、第二凸出部及第三凸出部，第一凸出部朝向第一有源区延伸，第二凸出部朝向第二有源区延伸，及第三凸出部朝向第三有源区延伸；栅介质层位于衬底与栅导电层之间。该结构实现针对器件不同区域单独调整相应元件特性的功
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117119784 A
(43)申请公布日 2023.11.24
(21)申请号 202311387006.4
(22)申请日 2023.10.25
(71)申请人 合肥晶合集成电路股份有限公司
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