(1.3.2)--6.2 晶体的生长材料科学基础.pdfVIP

材料的凝固 晶体的生长 ：通过液体中单个原子或若干个原子同时依附到晶核的 表面 ，并按照晶面原子排列的要求与晶核表面原子结 合起来 ，使晶核不断成长变大的过程。 a b c d e h f g 晶体生长过程示意图 目 录 01 02 一、熔化熵对晶体生长的影响 熔化熵 ：表征晶体生长特性的基本参数。  H f  S f / k k T e △S S-S ——熔化熵 ； f s L △H——熔化潜热 ； f T——理论凝固温度。 e  H f 1 .  2 ：粗糙界面 k T e v 固相与液相没有明显的界面分开 ，界面高低不平 ，有几个原子层 厚 ，半数位置被固相原子占据 ，液态原子可以在界面上的任何位 置转移到固相 ，使晶体连续生长——垂直生长机制。 v 生长速度v k △T ，高的生长速度使凝固速度决定于导热的快慢。 v 多数金属和一些化合物 ，如CBr 属于这类材料。 4 粗糙界面结构示意图  H f 2 .  2 2～3.5 ：光滑界面 k T e v 界面处液相和固相截然分开 ，固相表面为基本完整的原子密排面 ， 只有一个原子层厚。界面处有许多台阶和扭折 ，液态原子依附于 台阶或扭折位置沿其侧向生长 ，至铺满整个原子面而停止 ，从而 使界面向前生长一个原子层厚度——台阶式生长机制。 v 依附于螺型位错的螺旋面而生长。 v 生长速度v k ´( △T) 2 ，速度慢于粗糙界面的连续式生长。 v 半导体硅、锗及许多无机、有机化合物属于这类材料。 光滑界面结构示意图 H f 3.  10 ：光滑界面 k T e v 生长速度很慢 ，主要依靠固液界面上不断地形核才得以生长 ， 故v取决于形核速度 ，而非生长速度。 v 高分子材料及一些结构复杂的材料属于这类材料。 二维晶体形核生长示意图 说明 ： 过冷度对晶体的生长机制会产生一定的影响。 例如 ：对于光滑界面 ，在较小的过冷度下 ，如果晶体表面有螺型 2 位错 ，则其生长速度可以用v =k´(△T) 表示 ；如果没有螺型位错 ， 则其生长速度就很慢 ，但当过冷度增大后 ，其生长速度可以不局 限与台阶或扭折处的侧向生长 ，可以