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gaas无限深势阱圆型量子线的带式结构 0 低维半导体gaas电子一般特性以及在一般缓刑中的应用 低维半材料通常指除二维材料外的二维晶体、矩阵材料、一维网格材料和零维斑点材料。它们是正统的纳米材料。当材料生长处原子、分子间的势垒较宽, 阱与阱之间的电子耦合很弱, 则形成量子阱结构, 在量子阱中, 由于电子沿量子阱生长方向的运动受到约束, 则由量子力学可求得系统会形成一系列离散的量子能级, 形成能带。人们发现, 由于量子阱是一个一维受限系统, 产生了许多新的量子效应, 从而具有许多重要的应用, 因此, 人们就设法在两个维度上再施加量子约束, 力图限制电子的运动, 使之产生更强的量子约束效应, 于是, 产生了量子线。近年来, 国内外对量子线的制备方法多种多样, 但作为量子线的共性, 其中的电子运动与体材料中的电子运动相比, 此时量子线势阱中的电子运动是准二维的, 其中的载流子只能在一个空间方向自由运动, 而在另外2个空间方向上都受到势垒的限制。 理论上讲, 对于低维半导体GaAs有限深势阱矩型量子线, 可以在?r=(x,y)2r?=(x,y)2个方向引入限制势垒, 则其电子就只能在z方向自由运动, 此时其二维的薛定谔 (Schr?dinger) 方程为: [-?22m*(?2?x2+?2?y2)+V(?r)]?mn(?r)=Emn?mn(?r)(1) 电子总的波函数和本征能量表式分别