FPC良率提升持续改善报告.pptx

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Zastron FPC(客户TMD)良率提升持续改善报告;一、Zastron;一、Zastron TMD FPC生产良率状况;一、Zastron TMD FPC生产良率状况;二、Zastron TMD FPC 品质良率目标;小结:AB3L0LCD(TDC007)前五项生产不良缺陷集中表现为①线路不良(导体缺口/导体凹陷/开路/镀瘤导致);②露铜不良;③导体变色;④CVL异物不良;⑤金面划伤不良此五项根据十月份数据制定改善项目,后续月份若有新增不良将另成立项目改善小组.;小组2;统合步留

不良率:7%(Q2);;五、各良率提升改善小组改善结果报告:

①线路不良改善

②露铜不良改善

③导体变色

④CVL异物不良改善

⑤金面划伤不良改善;下料/裁切;;开路缺口;①线路不良改善--镀铜板面不良要因验证;;①线路不良改善--镀铜板面不良要因验证;;;验证结论:

由以上验证分析可知,引起线路不良的真因为镀铜板面不良,即板面有镀瘤,而镀瘤产生的根本原因为黑孔线所产生的条状黑色残碳。

以下针对条状黑色残碳做要因分析及验证.;入料;条状黑色残碳;①线路不良改善--条状黑色残碳要因验证计划;;验证计划说明:

验证目的:验证传动不稳刮伤板面是否是导致条状黑色残碳的真因

验证数量:5PNL(板面无异常)

验证过程:检查板在经过黑孔段跳动不转的滚轮后出现的板面状况,并取出一只滚轮放在板面上对比看有何关联,分析造成传动不稳出现滚轮跳动不转的原因。

检验工具:40X显微镜;;;;五、各良率提升改善小组改善结果报告:

①线路不良改善

②露铜不良改善

③导体变色

④CVL异物不良改善

⑤金面划伤不良改善;②露铜不良改善--生产流程;;②露铜不良改善--不良品EDS项目分析;选取从外观上判定具有代表性的露铜样品进行FTIR分析:;②露铜不良改善--要因分析;②露铜不良改善--CVL胶丝要因验证;;;;;验证目的:找出产生干膜屑的真因,并验证干膜屑是否会产生露铜。测试数量:48PNL

测试流程:a.去膜->镀金

b.剥膜->后剥膜->水洗①->酸洗->水洗②->抗氧化->水洗③->隔离->烘干->出料

检验方法:a.用粘尘滚轮清洁,如果发现粘尘纸上有类似干膜的异物用EDS进行分析,确认物质成份。b.用显微镜20X对每PCS进行检验并统计PCS不良率。

具体验证方法如下:

㈠.干膜屑是否会产生露铜的验证:;;;;;;五、各良率提升改善小组改善结果报告:

①线路不良改善

②露铜不良改善

③导体变色不良改善

④CVL异物不良改善

⑤金面刮伤不良不良改善;·③导体变色不良改善--生产流程;;③导体变色不良改善--不良要因分析;③导体变色不良改善--不良要因验证;2.验证内容;3.验证结论

根据以上内容分析可以得出:

产品在DES-烘烤-CVL前处理-CVL压合各工序间放置12小时以内无导体变色异常;

通过以上验证我们可以很明显得出:DES-烘烤-CVL前处理-CVL压合个工序“放置时间”为引起导体变色的主要 真因。;③导体变色不良改善--改善对策;五、各良率提升改善小组改善结果报告:

①线路不良改善

②露铜不良改善

③导体变色不良改善

④CVL异物不良改善

⑤金面刮伤不良不良改善;④CVL异物不良改善--生产流程;④CVL异物不良改善--不良项目分类;④CVL异物不良改善--要因分析;④CVL异物不良改善--要因验证;;;;;;;验证计划(去膜不净验证二)

目的:验证去膜不净产生原因数量:48PNL(合计384PCS)

工具:目视

检验方式:目视

流程:剥膜->后剥膜->水洗①->酸洗->水洗②->抗氧化->水洗③->隔离->烘干->出料参数点检:(如附件《参数点检表》)

验证方法:对于去膜工序理论上要求经过剥膜->后剥膜,后续的流程的各槽体不允许有干膜屑,特别靠近出料段的三个槽体水洗②->抗氧化->水洗③,如果有则证明产品去膜不净,有干膜屑残留,需要进行改善。;;;;五、各良率提升改善小组改善结果报告:

①线路不良改善

②露铜不良改善

③导体变色

④CVL异物不良改善

⑤金面划伤不良改善;干膜前处理;·⑤金面划伤不良改善--不良分类;;⑤金面划伤不良改善--要因验证计划;

主;验证计划说明:

验证目的:验证冲导线刀模刀口是否会产生金面划伤。

验证数量:20PNL

验证过程:a.取20片刀模分条后全检板面无划伤的产品(20倍显微镜检查); b.取步骤1的产品冲切导线;

c.检查步骤2作业后的产品金面划伤状况(20倍显微镜下检查);4.检验工具:20X显微镜;

验;;验证计划说明:

验证目的:验证冲切时产品从风枪上方经过是否会产生金面划伤。

验证数量:20PNL

验证过程:a.取20片冲切导线后全检板面无划伤的产品(20倍显微镜检查); b

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