半导体物理与器件.pptxVIP

半导体物理与器件?电导率和电阻率电流密度：对于一段长为l，截面面积为s，电阻率为ρ的均匀导体，若施加以电压V，则导体内建立均匀电场E，电场强度大小为：对于这一均匀导体，有电流密度：I将电流密度与该处的电导率以及电场强度联系起来，称为欧姆定律的微分形式

半导体物理与器件半导体的电阻率和电导率显然：电导率（电阻率）与载流子浓度（掺杂浓度）和迁移率有关

半导体物理与器件问题：本征半导体的导电性（常温下）是否一定比掺杂半导体更差？其中σi是本征半导体的电导率，b=μn/μpσSi-min≈0.86σSi-I; σGaAs-min≈0.4σGaAs-I;

半导体物理与器件电阻率和杂质浓度的关系右图所示为N型和P型硅单晶材料在室温(300K)条件下电阻率随掺杂浓度的变化关系曲线。

半导体物理与器件右图所示为N型和P型锗、砷化镓以及磷化镓单晶材料在室温(300K)条件下电阻率随掺杂浓度的变化关系曲线。

半导体物理与器件电阻率（电导率）同时受载流子浓度（杂质浓度）和迁移率的影响，因而电阻率和杂质浓度不是线性关系。对于非本征半导体来说，材料的电阻率（电导率）主要和多数载流子浓度以及迁移率有关。杂质浓度增高时，曲线严重偏离直线，主要原因：·杂质在室温下不能完全电离·迁移率随杂质浓度的增加而显著下降由于电子和空穴的迁移率不同，因而在一定温度下，不一定本征半导体的电导率最小。

半导体物理与器件从图中可