微机接口课件第6章微型计算机中的存储器.pptxVIP

微机原理与接口技术;;【本章内容提要】;6.1 存储器入门;6.1.1 存储器的分类;6.1.2 存储器的性能指标;连续两次读写操作之间所需的最短时间间隔称为存储周期。

存储器每秒钟可读写的数据量称为存储器带宽或数据传输速率，单位为Bps（或B/s）。

存取周期和存储器带宽也常作为存储器的性能指标。;6.2 随机存取存储器;多个基本存储单元排列成矩阵的形式称为存储体

一个存储体往往由多个芯片组成。

因此，系统每次访问存储器时，首先要选片，

CPU对被选中的芯片上的存储单元可进行读

/写操作。;6.2.1静态随机存取存储器6264;静态RAM的单片容量有不同的规格，目前最常用的有6116（2K×8）和6264（8K×8）。

下面介绍典型的静态RAM6264。;１、6264的引脚及其功能;2．静态RAM 6264的工作过程;3．与系统的连接;由于CPU总线的高位地址决定了芯片的地址范围，故将高位地址线通过一个译码器产生CS1片选信号。

将所有高位地址线作为译码器输入，从而得到存储器芯片地址范围的译码连接方式称为全地址译码连接。;计算地址范围的方法是：

译码器的输入信号（A19~A13）为0011111（高7位地址），

低13位地址（A12~A0）可以是全0到全1之间。;图6-46264的全地址译码连接;只将系统总线的部分高位地址线作为译码器的输入，从而得到存储器芯片地址范围的译码连接方式称为部分地址译码连接。

如图6-5所示，A16和A18两条高位地址线未参加译码，故该芯片在内存中的地址范围为AE000H~AFFFFH，BE000H~BFFFFH，EE000H~EFFFFH和FE000H~FFFFFH。

这意味着系统可用的存储空间减少了。;6.2.2动态随机存取存储器2164;1．2164的引脚及内部结构;2164的容量为64K，故应需要16条地址线来对它进行寻址。

但实际上2164只有8条地址线

为此，采用行地址和列地址分时传送的方法来确定芯片内存储单元的地址

行地址和列地址共用8条地址线。;2164芯片的内部结构如图6-7所示，

64KB的存储体由4个128×128的存储矩阵构成

每个存储矩阵由7条行地址线和7条列地址线选择相应的存储单元。

7条行地址线经过译码器产生128条行选择线，可选择128行；

7条列地址线经过译码器产生128条列选择线，可选择128列。;2．动态RAM 2164的工作过程;3．动态RAM 2164的刷新;刷新是按行进行的，故只需由行选通信号RAS激活每一行的存储单元，而不需要列选通信号CAS，即可完成对指定行的刷新。

例如，在PC/XT微型机中，动态RAM刷新是利用DMA控制器实现的，当DMA控制器接收到DMA请求时，便送出到刷新的行地址，从而完成指定行的刷新。;6.2.3存储器的扩展;1．位扩展;2．字扩展;3．字位扩展;6.3 只读存储器;ROM有以下几种类型：;电可擦除可编程只读存储器EEPROM（Electrically EPROM）：与EPROM类似，只是使用电信号进行擦除，比EPROM更为方便。

闪速存储器（FlashMemory）：新型的半导体存储器，具有非易失性、电擦除性和高可靠性。;6.3.1 EPROM 2764;1．EPROM 2764的引脚及其功能;CE：选片控制端，为低电平时，表示该芯片被选中。

OE：输出允许端，为低电平时，表示从数据线输出数据。

PGM：编程脉冲输入端。对EPROM编程时，输入编程脉冲；读操作时，输入高电平。

Vpp是编程电源；Vcc是主电源。;2．EPROM 2764的读出操作;3．EPROM 2764的编程写入;具体编程过程如下：;如果其他操作不变，只是在每写入一个单元的数据后将OE变为低电平，则可以对每次写入的数据进行校验，或者全部写完后再进行校验。

快速编程方式使用的是宽度很窄的编程脉冲，编程过程与标准编程方式相同，可对出现错误的单元进行多次重写。;4．EPROM 2764的擦除操作;6.3.2 电可擦除只读存储器EEPROM 98C64;1．EEPROM98C64的引脚及其功能;引脚定义及功能如下;2．EEPROM 98C64的读出操作;3．EEPROM 98C64的编程写入;自动页写入方式是指每次写完一页的数据。

一页数据包含32个字节，低位地址A4~A0用于在页内寻址；高位地址A12~A5为页地址，用于决定访问哪一页数据。

只有当一页数据写入完成后，即READY/BUSY端的状态由低电平变为高电平时，才能开始下一页数据的写入。;4．EEPROM 98C64的擦除操作;6.4 高速缓冲存储器;6.4.1 Cache的工作原理;6.4.2 Cache的地址映射;为了方便管理，将主存和Cache都分成大小相等的若干页。