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gan基材料的研究进展

0第三代gan材料

gan材料是指gan、inn、aln和由它们组成的各种金属材料（如inxga1-xn、alxga1-xn），属于直接带间隙半岛材料。通过调整合金成分,可以获得1.9~6.2eV的连续可调的带隙能,因此GaN基材料能覆盖从紫外(200nm)到红光(650nm)的频谱,从而成为短波长光电子器件及高频、高压、高温微电子器件制备的最优选材料,被誉为第三代半导体材料。GaN材料由于难于获得合适的衬底材料、位错密度较大、难以得到p型材料等问题而研究进展缓慢,直到90年代后随着材料生长和器件工艺水平的不断提高,缓冲层技术的采用和p型掺杂技术的突破,才使GaN基材料及其外延生长的研究变得空前活跃,成为目前全球半导体领域研究和投资的热点。本文介绍了GaN基材料的基本特性,对三种主要外延生长技术(MOCVD、MBE、HVPE)的外延过程及优缺点进行了对比,综述了几种常用的衬底材料及缓冲层技术,最后指出了目前存在的问题及今后的研究方向。

1gan材料的基本性能

1.1利用闪锌矿堆垛顺序确定

GaN材料是一种坚硬的高熔点材料(熔点约为1700℃),一般情况下以六方对称性的纤锌矿2H结构存在,沿111晶向原子层的堆垛次序为ABABAB……,在一定条件下也能以立方对称性的闪锌矿3C结构存在,具有ABCABC……的堆垛次序。外延生长闪锌矿GaN较为困难,目前广泛研究和应用的是纤锌矿结构的GaN。

1.2mg—电学特性

非故意掺杂GaN均为n型,由于存在N空位,衬底载流子浓度在1016~1018cm-3,使得制造p型GaN比较困难而制约了GaN基材料的应用。直到1989年H.Amano等人取得了p型掺杂的重大突破,利用低能电子束辐射(LEEBI)外延处理掺Mg的GaN得到了低阻p型GaN样品。1991年,NaKamura等人采用快速热退火法(RTA)获得了更为均匀的p型低阻薄膜,发现了Mg—H络化物补偿问题。由于络化物结合能不是很大,可通过低能电子束辐照或中温退火破坏Mg—H络合体,激活受主,实现高浓度的p型掺杂,但空穴浓度仍小于1018cm-3。最近几年对掺杂工艺进行了深入研究并在p型掺杂方面取得了显著的进展。S.W.Kim等人在传统快速热退火工艺后进行等离子N2处理,提高了表面的p型电导率,在减小欧姆接触电阻上有实际应用。K.S.Ahn等人采用两步快速热退火工艺,即先在较低温度(600℃)下退火5min,再在高温(900℃)下退火1min,使得GaN的电学性质、晶体质量和表面平整度都有了明显的提高。I.Waki等人在掺Mg的GaN上用UHCVD镀上一层1.5nm厚的Ni,然后在N2气氛下退火,SIMS显示H已经有效地被驱除,Ni显著地提高了H的吸收。Z.Y.Fan等人在AlGaN/GaN异质结场效应管结构的叠区采用Si的δ掺杂方法,提高了异质结场效应管的直流特性。

1.3带单独背压板的gan电极刻蚀系统

GaN具有强硬度、抗常规湿法腐蚀的特点,室温下不溶于水、酸和碱,但能缓慢溶于热碱溶液,尚没有一种合适可靠的化学腐蚀方法刻蚀GaN,目前使用最多的是电感应耦合等离子(ICP)干法刻蚀技术,也是目前共面电极(即p、n电极位于芯片同一侧)结构LED制作n电极的主要技术。

2材料的制造gan

2.1种生长方法的比较

目前制备GaN外延生长的主要方法是金属有机物化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)、氢化物气相外延(HVPE)三种,而MOCVD是使用最多、材料和器件质量最高的生长方法,HVPE只是MBE和MOCVD的辅助方法。这三种外延生长方法的外延过程及优缺点的比较如表1所示。

为了解决采用异质外延生长GaN晶体缺陷密度较大的问题,还开发出侧向、悬空外延技术和横向外延过生长技术,并取得了明显的效果。

2.2衬底材料

2.2.1gan衬底材料

选择衬底应尽量选用同一种材料,其晶格失配小、热膨胀系数低,但由于GaN基材料具有极高的熔点和非常大的氮气饱和蒸汽压,难以获得大面积,高质量的GaN衬底,只能采用存在晶格失配和热膨胀系数失配的异质衬底进行外延生长。GaN常用的衬底材料有蓝宝石(Al2O3)、SiC、AlN、ZnO、Si和GaAs等。这向种衬底材料的优缺点如表2所示。

在以上各种衬底材料中,蓝宝石用途最高,而ZnO、Si材料具有很大的发展潜力。

2.2.2采用hvpe法生产出工商膜,制备gan准衬底

异质外延会导致外延层高密度位错,影响外延层生长质量,理论和实验表明,采用GaN作衬底,同质外延器件结构,器件性能得到大幅度提高,因此制造GaN衬底成为研究热点。目前主要采用的方法是利用HVPE技术在蓝宝石或其他材料