第二讲第二章-薄膜的物理气相沉积课件.pptxVIP

第二章;提 要;物理气相沉积;化学气相沉积;物理气相沉积方法的特点;薄膜蒸发沉积装置的示意图;lgpe(Pa)=;金属元素的平衡蒸气压随温度的变化;半导体元素的平衡蒸气压随温度的变化;元素的蒸发;元素的蒸发速率(物质通量)

当元素的分压 低于 其平衡蒸气压时，元素发生净蒸发。反之，元素发生净沉积。蒸发时,单位表面上元素的净蒸发速率(物质通量)等于;元素的质量蒸发速率;化合物的热蒸发;?????????????????????????????????

过程类型 化学反应 实例 注释

?????????????????????????????????;合金中各元素的热蒸发;合金中各元素的热蒸发;合金中各元素的热蒸发;合金中各元素的热蒸发;薄膜沉积的方向性和均匀性;面蒸发源时薄膜沉积的均匀性;薄膜蒸发源种类;点源与面源情况下薄膜相对沉积速率与衬底距离和尺寸的关系;薄膜的沉积厚度均匀性是一个经常需要考虑的问题。实际

生产中，需要同时沉积的薄膜面积越大，则沉积均匀性的问题就越突出。

相比之下，点蒸发源所对应的沉积均匀性要好于面蒸发源。

加大蒸发源到衬底表面的距离可以改善沉积薄膜厚度的均匀性，但是，这种方法会降低薄膜的沉积速率，增加被蒸材料的损耗。

利用旋转衬底的方法可以改善薄膜厚度的均匀性。;薄膜沉积的阴影效应和选择性沉积;薄膜沉积的阴影效应(a)以及利用掩膜进行薄膜的选择性沉积(b);在蒸发沉积的情况下，薄膜的纯度取决于：

蒸发源物质的纯度

加热装置、坩埚等可能造成的污染

真空系统中残留的杂质气体

前面两个因素的影响可以依靠使用高纯物质作为蒸发源、改善蒸发装置的设计而得以避免，而后一个因素则需要从改善设备的真空条件入手来加以解决。;真空度对蒸发法制备的薄膜纯度的影响

在沉积过程中，残余气体的分子和蒸发物质的原子将分别射向衬底，并可能同时沉积在衬底上。蒸发物质原子的沉积速率正比于蒸发源的蒸发速率，污染源的沉积速率正比于污染气体的压力;蒸发沉积技术的种类;电阻式热蒸发装置;电子束蒸发装置的示意图;电弧蒸发装置的示意图;激光蒸发装置的示意??;空心阴极蒸发装置的示意图;蒸发法的优点

方法和设备可以相对简单

较高的沉积速度（数十μm/小时）

相对较高的真空度和薄膜纯度

蒸发法的缺点

蒸发粒子的能量相对较低;蒸发粒子的能量与物质键合能的比较;第二讲 小结;基本概念复习