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第六章半导体
学习目的与要求
学习目的与要求
了解本征半导体、P型和N型半导体的特
征；了解PN结的形成过程；熟悉二极管的
伏安特性及其种类、用途；深刻理解晶体
管的电流放大原理，掌握晶体管的输入和
输出特性；了解场效应管的结构组成及工
作原理，初步掌握工程技术人员必需具备
的分析电子电路的基本理论、基本知识和
基本技能。
6.1半导体的基本知识
物质按导电能力的不同可分为导体、半导体和绝缘体三
5
大类。金属导体的电导率一般在10s/cm量级；塑料、云母
-22-14
等绝缘体的电导率通常是10~10s/cm量级；半导体的电
-92
导率则在10~10s/cm量级。
1.半导体的独特性能
半导体的导电能力虽然介于导体和绝缘体之间，但半导
体的应用却极其广泛，这是由半导体的独特性能决定的：
光敏性——半导体受光照后，其导电能力大大增强；
光敏性
热敏性——受温度的影响，半导体导电能力变化很大；
热敏性
掺杂性——在半导体中掺入少量特殊杂质，其导电
掺杂性
能力极大地增强；
半导体材料的独特性能是由其内部的导电机理所决定的。
内部的导电机理
2.本征半导体和杂质半导体
(1)本征半导体
最常用的半导体为硅(Si)和锗(Ge)。它们的共同特征是四价
元素，即每个原子最外层电子数为4个。
++
Si(硅原子)
SiGe
SiGe
+4+4
+4+4
硅原子和锗原子的简化模型图
天然的硅和锗是不能制作成半导体器件的。它们必须先经
过高度提纯，形成晶格结构完全对称的本征半导体。
实际上半导体的
＋4＋4＋4晶格结构是三维
的。
＋4＋4＋4
＋4＋4＋4
共价键结构
本征半导体原子核最外层的价电子都是4个，称为四价元
素，它们排列成非常整齐的晶格结构。在本征半导体的晶格
结构中，每一个原子均与相邻的四个原子结合，即与相邻四
个原子的价电子两两组成电子对，构成共价键结构。
共价键结构
＋
＋
＋4＋4＋4
＋受光照或温度上升
＋4＋4＋4
＋
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