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碳纳米管场发射性质的研究的开题报告
1.研究背景与意义
碳纳米管（CNT）是一种具有优异物理、机械和光电性能的新型纳米材料。作为当前最具有研究价值的纳米材料之一，碳纳米管在微纳电子、催化剂、储能材料、光电器件等领域具有广泛的应用前景。其中，碳纳米管场发射技术作为利用碳纳米管光电性能进行耐久性相当高的电极材料，在光电子元器件制备和微电子器件中具有重要应用。
目前，关于碳纳米管场发射性质以及其在光电子元器件制备和微电子器件中的应用研究仍然存在诸多问题和挑战。因此，进一步深入研究碳纳米管场发射机制及其相关性质，将为其在微电子、光电子等领域的应用提供有力支持和指导。
2.研究内容和方法
（1）碳纳米管场发射机制与特性研究
通过实测测试，探究增长碳纳米管场发射电极过程中相关参数（电流密度、场强等）的变化规律，建立碳纳米管场发射模型，并探究模型与实测测试结果的一致性。对于碳纳米管在场发射电极下的电子能带结构和场发射响应机理进行机理模拟，并通过模拟结果与实测测试结果的比对，验证模拟准确性和可靠性。
（2）基于碳纳米管的光电子元器件制备与性能研究
利用已有的碳纳米管场发射技术，制备新型的碳纳米管光电子元器件，并探究其电学特性、光学性能、发光机理以及特殊的机械性能，研究其光电效应等。
3.预期结果
通过对碳纳米管场发射性质的深入研究，建立了增长碳纳米管场发射电极过程的数学模型，揭示了碳纳米管在场发射电极下的电子能带结构和场发射响应机理，为其在微电子、光电子等领域的应用提供了理论基础和实验支撑。此外，通过碳纳米管光电子元器件的制备与性能研究，为光电子元器件设计和产业化提供了新思路和新途径，具有很好的应用前景。
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