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证券研究报告

半导体行业系列专题（二）之碳化硅：

衬底产能持续扩充，关注渗透加速下

的国产化机会

电子行业强于大市

平安证券研究所TMT团队

分析师：付强S1060520070001（证券投资咨询）徐勇S1060519090004（证券投资咨询）

邮箱：FUQIANG021@XUYONG318@

2024年1月10日

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投资逻辑图

当前硅基半导体逼近物理极限

相较Si禁带宽度X3倍击穿电压X10倍

材料

热导率X5倍电子饱和漂移速率X3倍

材料性能突出，综合性能突出，

器件优势明显替代趋势清晰

总能量损耗低80%

相较Si器件

器件器件尺寸缩小90%

开关频率和工作温度均大幅提升

第三代半导体为关键技术，利好政策持续推出助力产业发展

碳自主可控需求强烈

当前国内外技术代差约为5-8年，具备实现国产替代机遇

化

硅市场天花板高2026年全球SiC器件市场规模将达71亿美元

电力损耗减少6-10%；综合成本下降6%

2023年SiC上车速度明显加快，

新能源车

800V高压SiC平台车型不断推出

降本提效增益明降本提效优势明显，2027年车用SiC功率器件市场规模达50亿美元

显，下游持续景下游需求不断提升

气带动需求提升转换效率提升至99%；能耗降低50%；

设备循环寿命提升50倍

光伏

2027年光伏SiC功率器件市场规模达4亿美元

下游持续景气，SiC晶体生长慢且加工难,原材料到晶圆转换率仅50%

资料来源：平安证券研究所整理存在供应缺口海外厂商以IDM为主，产能存在内供消化情况2

投资要点

材料性能突出，器件优势明显。当前Si半导体已逼近物理极限，以SiC为代表的第三代半导体成为后摩尔时代半导体行业发展的重点方向之一，SiC材料拥

有高击穿电场、高导热率以及高饱和电子漂移速度等特性，制备的器件相较于Si产品能够降低80%损耗的同时将器件尺寸缩小90%，在新能源汽车、光伏

以及轨道交通等领域具备广阔的替代空间。

SiC为半导体重要新材料，产业链自