阻变存储器研究进展.docxVIP

阻 变 存 储 器 研 究 进 展

漏电流也会越来越大，这直接影响到了Flash存储器数据存储的稳定位千是各种新型的下一代存储器相继出现。其中，阻变存储器［闷具有制造工艺简单、能耗低、存储数据密度高、读写电压低、记忆时间长、读写速度快、与传统CMOS工艺兼容性好等优势而受到广泛研究回，被认为极有可能成为下一代存储器。

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阳曰 芯片上品体管数目按照摩尔定律向前发展

阻变存储器(Resistjiv,e Random Aec岱s.M叩画y简称RRAM)又称为忆阻器(M叩 ristor或氐sistiveSwitching)是继电感、电容和电阻之后的第四种电路元件，如图1-2.。其 概念由蔡少棠教授于19?1

年首先提出”句。2008年惠普公司研制出忆阻