第一章晶体中的点缺陷-资料.pptxVIP

第一章晶体中- 资

绪 论以简单立方晶体进行剪切强度的理论计算和实际测量发现：理想晶体的强度比实际晶体高2~4个数量级比较一些金属材料的理论屈服强度与实际屈服强度发现：相差2~3个数量级这说明：1）材料的结构决定性能2）实际晶体的结构不同于理想晶体实际晶体的结构为：理想晶体+晶体缺陷理想晶体：7大晶系，14种空间点阵的晶体晶体缺陷：点、线、面缺陷

第一章 点缺陷晶体缺陷：点缺陷（零维缺陷）：空位与间隙原子线缺陷（一维缺陷）：位错面缺陷（二维缺陷）：晶界、相界§1.1 点缺陷的类型－空位和间隙原子一.原子晶体（一）空位（vacancy)：1.类型：肖脱基空位：空位在晶体中单独存在。弗兰克尔空位：空位与间隙原子共存。金属中空位的存在形式：单空位和空位群

（二）间隙原子（interstitial)类型－ 自间隙原子（晶体本身固有的原子）异类原子（外来的杂质原子）间隙位置(interstitialset)八面体 四面体结构 个数 个数最大间隙实际及等同处A1 4及等同处8八面体八面体A2及等同处6及等同处12四面体八面体A3及2及等4八面体八面体

符号晶体类型符号晶体类型A主要是纯组元E-K更复杂的化合物BAB型化合物L合金CAB2型化合物O有机化合物DAmBn型化合物S硅酸盐注：晶体结构符号：(structuresymbol)晶体结构有两种符号－1.结构符号—大写英文字母＋一个数字

2.pearson符号cF－用一个小写字母＋大字母表示。c－晶系第一个英文字母的字头三斜：TriclinicAnorthic,单斜：Monoclinc，正交（斜方）：Orthogonal，四方（正方）：Tetragonal，立方：Cubic，六方：Hexagonal，菱形：Rhombohedral）F－表示布拉非点阵类型P—简单，C—底心，I—体心，F—面心，R—棱方

3）间隙原子组态自间隙原子对分组态：连珠组态：异间隙原子位于八面体间隙位置。对分组态连珠组态

讨论：点缺陷是一种热力学上稳定地缺陷，一定温度下对 应一定的平衡浓度。点缺陷是热缺陷，T升高，平衡浓度增加。平衡点缺陷的浓度与点缺陷的形成能呈指数关系。因为u间隙 u空位，所以在一定温度下晶体中的空位浓度远远大于间隙原子的平衡浓度，故在晶体内点缺陷主要是肖氏空位。

二.双空位浓度C双/C单空位浓度之比随T↑而↑双空位的形成能2个空位的结合能Z—空位的配位数

§1.3 点缺陷的形成能点缺陷的形成能包括：自由电子能量的变化畸变能的变化空位的形成能中，电子能量是主要的；间隙原子形成能中，畸变能是主要的一.自由电子能量的变化1.势能的变化：—系统的弗米能弗米能:①在T时，能量为E的质点出现几率为 的能量。②反映系统的总能量在组成质点之间的分配情况。

二.不同点缺陷的形成能对大多数简单晶体,单空位形成能在Tm附近,热平衡空位和间隙原子最大浓度分布为10－4～10－8数量级。2.动能的变化：

—空位迁移熵—空位迁移能(扩散激活能)获得鞍点状态原子的能量（一）空位的迁移空位的迁移、间隙原子迁移能—原子扩散激活能空位迁移的几率:§1.4 点缺陷的运动Z—空位原子周围配位数—空位周围原子震动频率普通金属的Em较小；具有密堆结构的金属Cu、Au、Ag的Em较大,共价键结构晶体Em较大。

（二）间隙原子的迁移三种机构:①直接换位—由A位置到B位置(a)图A?间接运动—A→B→C ，A间隙到C (b)图③对分间隙原子运动(两原子均处于半间隙位置)如(c)图。BACB

三.缺陷的迁移率在小的外应力作用下，缺陷的平均位移速度为：(运动方向与F相反)Dd—缺陷的扩散系数F —作用在缺陷上的力而从而得出缺陷流的Fick定律：

§1.5空位对晶体的作用（热平衡空位—点缺陷）一.点缺陷对晶体结构的影响破坏点阵的周期排列；引起点阵的畸变；在熔点附近形成松弛群(类似局部熔化的非晶区)；使晶体增加半个原子的体积膨胀。二.热平衡点缺陷对晶体物理性能的影响空位将使晶体电阻增加(空位使晶体内电子浓度发生散射)。

D-原子的扩散系数U-空位形成能能（即Q)注：由此式可以求出空位的形成能。则 与 呈直线关系,其斜率为u。(用试验法测出 与 关系,则可以求出u)

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