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存储器和阵列结构设计.*NORFlash存储器的基本操作A.擦除操作第31页，讲稿共62页，2023年5月2日，星期三存储器和阵列结构设计.*NORFlash存储器的基本操作B.写操作第32页，讲稿共62页，2023年5月2日，星期三存储器和阵列结构设计.*NORFlash存储器的基本操作C.读操作第33页，讲稿共62页，2023年5月2日，星期三存储器和阵列结构设计.*非易失性存储器的新趋势多位存储的非易失性存储器FRAMMRAM非易失性读写存储器——小结第34页，讲稿共62页，2023年5月2日，星期三存储器和阵列结构设计.*12.2.3读写存储器(RAM)静态随机存取存储器(SRAM)WLBLVDDM5M6M4M1M2M3BLQQ第35页，讲稿共62页，2023年5月2日，星期三存储器和阵列结构设计.*例题12.8CMOSSRAM——读操作WLBLVDDM5M6M4M1VDDVDDVDDBLQ=1Q=0CbitCbit第36页，讲稿共62页，2023年5月2日，星期三存储器和阵列结构设计.*000.20.40.60.811.20.5Voltagerise[V]11.21.52CellRatio(CR)2.53VoltageRise(V)CMOSSRAM分析(读操作)第37页，讲稿共62页，2023年5月2日，星期三存储器和阵列结构设计.*例题12.9CMOSSRAM——写操作BL=1BL=0Q=0Q=1M1M4M5M6VDDVDDWL第38页，讲稿共62页，2023年5月2日，星期三存储器和阵列结构设计.*CMOSSRAM分析(写操作)第39页，讲稿共62页，2023年5月2日，星期三存储器和阵列结构设计.*SRAM单元的性能VDDGNDQQWLBLBLM1M3M4M2M5M6六管CMOSSRAM存储器单元的版图第40页，讲稿共62页，2023年5月2日，星期三存储器和阵列结构设计.*M3RLRLVDDWLQQM1M2M4BLBL电阻负载SRAM单元(四管CMOSSRAM）第41页，讲稿共62页，2023年5月2日，星期三存储器和阵列结构设计.*动态随机存取存储器(DRAM)WWLBL1M1XM3M2CSBL2RWLVDDVDD2VTDVVDD2VTBL2BL1XRWLWWL三管动态存储单元第42页，讲稿共62页，2023年5月2日，星期三存储器和阵列结构设计.*BL2BL1GNDRWLWWLM3M2M1三管动态存储单元的版图例子第43页，讲稿共62页，2023年5月2日，星期三存储器和阵列结构设计.*单管动态存储单元第44页，讲稿共62页，2023年5月2日，星期三存储器和阵列结构设计.*关于存储器和阵列结构设计第1页，讲稿共62页，2023年5月2日，星期三存储器和阵列结构设计.*本章重点存储器的分类和结构只读、非易失性及读写存储器的数据存储单元外围电路——灵敏放大器、译码器、驱动器和时序产生器存储器设计中的功耗和可靠性问题第2页，讲稿共62页，2023年5月2日，星期三存储器和阵列结构设计.*12.1引言密集的数据存储电路是数字电路或系统设计者的主要考虑之一将存储单元组成大的阵列，这可以使外围电路的开销最小并增加存储密度本章的意义在于它应用了大量前几章中介绍过的电路技术存储器设计可以看成一个高性能、高密度和低功耗电路的设计实例第3页，讲稿共62页，2023年5月2日，星期三存储器和阵列结构设计.*12.1.1存储器分类时序参数读出时间/写入时间/读周期/写周期第4页，讲稿共62页，2023年5月2日，星期三存储器和阵列结构设计.*半导体存储器分类Read-WriteMemoryNon-VolatileRead-Write

MemoryRead-OnlyMemoryEPROME2PROMFLASHRandomAccessNon-RandomAccessSRAMDRAMMask-ProgrammedProgrammable