薄膜淀积与外延技术.pptVIP

②影响外延生长速率的因素A反应剂的浓度工业典型条件Y=0.005-0.015.4外延膜沉积技术第127页，讲稿共153页，2023年5月2日，星期三②影响外延生长速率的因素B外延的温度在实际生产中：外延温度选择在B区原因有二。a）B区的温度依赖型强；b）淀积的硅原子也需要足够的能量和迁移能力，高温5.4外延膜沉积技术第128页，讲稿共153页，2023年5月2日，星期三②影响外延生长速率的因素C气体流速由于1200高温下到达衬底表面的不会堆积：因此流速越大，外延层的生长速率越快。5.4外延膜沉积技术第129页，讲稿共153页，2023年5月2日，星期三①系统要求气密性好；温度均匀；气流均匀；反应剂和掺杂剂的浓度和流量精确可控；外延前能对衬底做气相抛光；5.4外延膜沉积技术第130页，讲稿共153页，2023年5月2日，星期三（3）系统及工序5.4外延膜沉积技术第131页，讲稿共153页，2023年5月2日，星期三二、溅射镀膜溅射镀膜是利用电场对辉光放电过程中产生出来的带电离子进行加速，使其获得一定的动能后，轰击靶电极，将靶电极的原子溅射出来，沉积到衬底形成薄膜的方法。5.3物理气相沉积辉光放电第95页，讲稿共153页，2023年5月2日，星期三++