单片微机应用系统存储器扩展技术13.5.25.pptVIP

;2.1概述

;;(2)可现场改写的非易失性存储器

非ROM型可现场改写的非易失性存储器的需求增长速度最快，这主要有EEPROM、一体化非易失性静态读写存储器NVSRAM、FlashMemory、利用铁电材料的极化方向来存储数据的铁电读写存储器FRAM。

;(3)快擦写存储器FlashMemory

属于ROM型存储器，它又可以随时改写信息，从功能上看，它又相当于RAM，ROM与RAM的定义和划分已逐渐失去意义。

自1988年首次推出商品化快擦写存储器以来，已经有多达40余家半导体公司开发制造，以美国的Intel、AMD和Amtel三个公司占最大份额。其容量从最初的64Kb开展到现在16Mb～32Mb的产品。

随着快擦写存储器技术的开展，EPROM被淘汰。

;(4)非易失性铁电存储器FRAM

FRAM技术综合了DRAM高集成度、低本钱和SRAM的读写速度，以及EPROM的非易失性的多种优点于一身。

表2-1各种存储器性能的比较

存储器固有不挥发性高密度低功耗晶体管单元在线可重写FLASH √ √ √ √ √

SRAM √

DRAM √ √

EEPROM √ √ √

OTP/EPROM√ √ √ √

掩膜ROM√ √ √ √;2．存储器开展趋势

(1)存储器集成度不断提高

集成度以每18个月提高一倍的速度在开展；目前在SRAM、EPROM、EEPROM产品上开展大容量已趋平缓，主要集中在：DRAM、FlashMemory产品的大容量化上。

(2)高速存储器的开展

把访问时间小于35ns的存储器称为高速存储器。研制水平当前已可使SRAM的访问时间到达1ns，甚至访问时间可达100ps。;(3)存储器的低工作电压、低功耗化

大多数低压存储器采用了3V～3．3V工作电压，也有采用2．7V或1．8V电源供电的。如东芝推出的低压EEPROM，日立公司还推出了只需要1V工作电压的4MbSRAM；

采用低电压集成电路技术后，芯片的功耗也大幅度降低，而且其工作速度并没有明显下降，这时电池的重量可以减轻40％，同时电池的寿命延长了3至4倍，系统发热量降低，整个系统的体积也相应减小。

;采用哈佛〔Har-yard〕结构，即将程序存储器和数据存储器截然分开，程序存储器和数据存储器各有自???的寻址方式、寻址空间和控制信号。

图2－1为80C51单片微机存储器映象图。

①在物理上设有4个存储器空间

·程序存储器：片内程序存储器；

片外程序存储器；

·数据存储器：片内数据存储器；

片外数据存储器。;②在逻辑上设有3个存储器地址空间

·片内、片外统一的64KB程序存储器地址空间；

·片内256B数据存储器地址空间；

·片外64KB的数据存储器地址空间。

;?1.???程序存储器

?用于存放经调试正确的应用程序和表格之类的固定常数。

采用16位的程序计数器PC和16位的地址总线，程序存储器可扩展的地址空间为64KB(0000H～FFFFH)。

16位即为两个字节，等价于2的16次方=65536;⑴ 程序存储器可以分为片内和片外两局部。

◆EA引脚接高电平时，程序从片内程序存储器开始执行；当超出片内程序存储器容量时，会自动转向片外程序存储器空间执行。

◆EA引脚接低电平时，迫使系统全部执行片外程序存储器程序。

; ⑵程序存储器的某些单元被保存用于特定的程序入口地址。

系统复位后的PC地址为0000H，故系统从0000H单元开始取指，执行程序，它是系统的启动地址.

复位 0000H

外部中断0 0003H

计时器T0溢出 000BH

外部中断1 0013H

计时器T1溢出 001BH

串行口中断 0023H

;⑶ 片内程序存储器为固定只读存储器ROM。

类型有