现代材料检测_8章SE.pptxVIP

第八章扫描电子显微分析;HistoryofSEM;FeaturesofSEM;2．扫描电子显微镜的工作原理;扫描电镜的主要结构

电子光学系统

获得扫描电子束，作为信号的激发源。为了获得较高的信号强度和图像分辨率，扫描电子束应具有较高的亮度和尽可能小的束斑直径

电子枪1.热发射电子枪：W丝阴极：20-50um；LaB6阴极：20um

2.场发射电子枪：冷场致发射和热场致发射：10-20nm

聚光镜（、第二聚光镜和物镜）

物镜光阑

;3.扫描电镜的工作内容

;3.1、二次电子像

二次电子是被入射电子轰出的试样原子的核外电子，其主要特点是：

（l）能量小于50eV，主要反映试样表面10nm层内的状态，成像分辨率高。

（2）二次电子发射系数与入射束的能量有关。随着入射束能量增加，二次电子发射系数减小;3.2背散射电子像;两种图像的对比;扫描电镜图象及其衬度;3.扫描电镜的主要特征;(3)景深大;(5)样品制备简单;离子溅射镀膜的原理是：在低气压系统中，气体分子在相隔一定距离的阳极和阴极之间的强电场作用下电离成正离子和电子，正离子飞向阴极，电子飞向阳极，二电极间形成辉光放电，在辉光放电过程中，具有一定动量的正离子撞击阴极，使阴极表面的原子被逐出，称为溅射，如果阴极表面为用来镀膜的材料（靶材），需要镀膜的样品放在作为阳极的样品台上，则被正离子轰击而溅射出来的靶材原子沉积在试样上，形成一定厚度的镀膜层。;2.粉体样品;4.扫描电镜应用实例;ZnO纳米线的二次电子图像;（a）芯片导线的表面形貌图，（b）CCD相机的光电二极管剖面图。;;SEM+(WDS+EDS);;X射线分光原理;

△直进式模式;;（b）能量色散谱仪EDS-EnergyDispersiveSpectrometry;△单通道分析器：电子束扫描，显示某种成分象

△多通道分析器：显示微区X射线能谱

某种元素

面分布;能谱分析和波谱分析特点;比较内容;2.线分析;3.面分析;1.扫描电子显微镜的构造;2．扫描电子显微镜的工作原理

扫描电镜是用聚焦电子束在试样表面逐点扫描成像。试样为块状或粉末颗粒

由电子枪发射的能量为5～35keV的电子，以其交叉斑???为电子源，经二级聚光镜及物镜的缩小形成具有一定能量、一定束流强度和束斑直径的微细电子束，在扫描线圈驱动下，于试样表面按一定时间、空间顺序作栅网式扫描。聚焦电子束与试样相互作用，产生随试样表面形貌而变化物理信号（二次电子、背散射电子或吸收电子等，二次电子是最主要的成像信号），这些电子信号被探测器收集转换成电讯号，经视频放大后输入到显像管栅极，调制与入射电子束同步扫描的显像管亮度，得到反映试样表面形貌的特征电子图像。;信号探测放大系统

检测样品在入射电子作用

下产生的二次电子、背散

射电子等电子信号，然后

经视频放大作为显像系统

的调制信号，由闪烁体，

光导管和光电倍增器所组成。

图象显示和记录系统：显象管、照相机等

真空系统：真空系统是保证电子枪和试样室有较高的真空度，高真空度能减少电子的能量损失和提高灯丝寿命，并减少了电子光路的污染。真空度一般为0.01Pa－0.001Pa，通常用机械泵－油扩散泵抽真空。

电源系统;二次电子产额δ与二次电子束与试样表面法向夹角有关，δ∝1/cosθ。θ角越大，二次电子产额越高，这表明二次电子对样品表面状态非常敏感

因为随着θ角增大，入射电子束作用体积更靠近表面层，作用体积内产生的大量自由电子离开表层的机会增多；其次随θ角的增加，总轨迹增长，引起价电子电离的机会增多。;（a）陶瓷烧结体的表面图像（b）多孔硅的剖面图;2、背散射电子像

背散射电子是由样品反射出来的入射电子，其主要特点是：

能量很高，有相当部分接近入射电子能量E0，在试样中产生的范围大，像的分辨率低。

背散射电子发射系数η随原子序数增大而增大（图2-75）。

作用体积随入射束能量增加而增大，但发射系数变化不大（图2-75）。;扫描电镜图象及其衬度;ZrO2-Al2O3-SiO2系耐火材料的背散射电子成分像，1000×;(2)分辨率?

分辨率指能分辨的两点之间的最小距离。分辨率d可以用贝克公式表示：d=0.61?/nsin?。

影响分辨率的主要因素：

△初级束斑：分辨率不可能小于初级束斑

△入射电子在样品中的散射效应

△对比度

SEM是用电子束照射样品，电子束是一种DeB