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本发明提供了一种沟槽式SIC‑MOSFET制备方法，属于半导体技术领域，包括以下步骤：S1，建立仿真模型，利用TCAD仿真工具建立了SIC‑DTMOSFET的二维模型；S2，在进行二维结构仿真的过程中，定性分析器件单粒子效应，在模拟中添加了基本模型，此外还添加了重离子入射模型和热力学模型，进行栅氧化层损伤仿真模拟和单粒子烧毁仿真模拟S3，基于BP神经网络对仿真模型进行寿命预测；S4，根据仿真模型的仿真数据情况对沟槽式SIC‑MOSFET的制备方法进行优化，而后进行实际的制.解决了由于其沟槽底部氧
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117521575A
(43)申请公布日2024.02.06
(21)申请号202311579318.5
(22)申请日2023.11.24
(71)申请人深圳佳恩功率半导体有限公司
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