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本发明属于控制棒材料领域，尤其涉及一种用于中子控制棒的钨酸稀土基高熵陶瓷材料及其制备方法和应用。所述陶瓷材料的化学式为：(Sm0.2Eu0.2Gd0.2Dy0.2RE0.2)W3O12其中，RE选自La、Nd、Ho、Yb、Er、Tm、Lu、Y或Sc中的任意一种，优选RE选自Er、Tm、Lu或Y中的任意一种，例如为Er或Y。在本发明中，以稀土钨酸盐(A2O3W12)为基体，采用高熵策略在A位选取中子吸收截面较大的元素结合原子半径，获得具备优异抗辐照性能和较高尺寸稳定性的中子控制材料。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117550894A
(43)申请公布日2024.02.13
(21)申请号202311392921.2
(22)申请日2023.10.25
(71)申请人厦门稀土材料研究所
地址3
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