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808-07-磁敏式传感器

Ø当载流导体或半导体处于与电流相垂直的磁

场中时，在其两端将产生电位差，这一现象

被称为。

Ø霍尔效应产生的电动势被称为。

Ø霍尔效应的产生是由于运动电荷受磁场中洛

伦兹力作用的结果。

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Ø在洛仑兹力的作用下，电子向d侧偏转，使该侧形成负电荷的积累，c侧则形成

正电荷的积累。这样，c、d两端面因电荷积累而建立了一个电场,称为霍

尔电场。该电场对电子的作用力与洛仑兹力的方向相反，即阻止电荷的继续积

累。当电场力（）与洛仑兹力大小相等时，达到动态平衡。这时有

所以霍尔电场的强度为

（7-2）

在c与d两侧面间建立的电动

势差称为霍尔电势，用表示

当材料中的电子浓度为n时

（7-3）

霍尔效应与霍尔元件

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Ø设霍尔系数，得（7-5）

Ø设霍尔灵敏度，则

反映材料霍尔效

应的强弱，是由

材料性质所决定

的一个常数大小（7-7）

霍尔灵敏度，它表

示霍尔元件在单位

霍尔片控制电流和单位磁

的厚度感应强度时产生的

霍尔电势的大小

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霍耳电势与材料的关系

通过以上分析，可以看出

⑴霍耳电压U大小与材料的性质有关。一般来说，金属材料n较大，导致R和K变小，

HHH

故不宜做霍耳元件。霍耳元件一般采用N型半导体材料。R=1/nq

H

⑵霍耳电压U与元件的尺寸关系很大，生产元件时要考虑到以下几点：

H

1）根据式，H愈小，K愈大，霍耳灵敏度愈高，所以霍耳元件的厚

H

度都比较薄。但H太小，会使元件的输入、输出电阻增加，因此，也不宜太薄。

2）元件的长宽比对U也有影响。L/W加大时，控制电极对霍耳电压影响减小。但如

H

果L/W过大，载流子在偏转过程中的损失将加大，使U下降，通常要对式（7-7）