(4)--1.4场效应管和集成电路中的元件 - 分页.pptVIP

1.4场效应管和集成电路中的元件

1.4场效应管和集成电路中的元件1.4.1场效应管

1.4场效应管和集成电路中的元件1.4.1场效应管1.4.2集成电路中的元件

1.4.1场效应管

1.4.1场效应管一、场效应管的结构和符号

1.4.1场效应管一、场效应管的结构和符号二、结型场效应管结构与主要参数

1.4.1场效应管一、场效应管的结构和符号二、结型场效应管结构与主要参数三、绝缘栅型场效应管的结构和主要参数

一、场效应管的分类 场效应管是一种仅由一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。

一、场效应管的分类 场效应管是一种仅由一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。从结构划分，它有两大类：

一、场效应管的分类 场效应管是一种仅由一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。从结构划分，它有两大类：1、结型场效应管JFET

一、场效应管的分类 场效应管是一种仅由一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。从结构划分，它有两大类：1、结型场效应管JFET2、绝缘栅型场效应管IGFET（也称金属氧化物半导体三极管MOSFET）

二、结型场效应管1、结构和工作原理

二、结型场效应管1、结构和工作原理

二、结型场效应管1、结构和工作原理在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。一个P区是栅极，N型硅的一端是漏极，另一端是源极。

2、结型场效应管的特性曲线漏极输出特性曲线二、结型场效应管

2、结型场效应管的特性曲线漏极输出特性曲线转移特性曲线二、结型场效应管

三、绝缘栅型场效应管1、结构和工作原理

三、绝缘栅型场效应管1、结构和工作原理分为:增强型—N沟道、P沟道

三、绝缘栅型场效应管1、结构和工作原理分为:增强型—N沟道、P沟道耗尽型—N沟道、P沟道

三、绝缘栅型场效应管1、结构和工作原理分为:增强型—N沟道、P沟道耗尽型—N沟道、P沟道D漏极，相当于c

三、绝缘栅型场效应管1、结构和工作原理分为:增强型—N沟道、P沟道耗尽型—N沟道、P沟道D漏极，相当于cG为栅极，相当于b

三、绝缘栅型场效应管1、结构和工作原理分为:增强型—N沟道、P沟道耗尽型—N沟道、P沟道D漏极，相当于cG为栅极，相当于bS为源极，相当于e

2、主要参数三、绝缘栅型场效应管 直流参数 交流参数 极限参数

2、主要参数三、绝缘栅型场效应管 直流参数*开启电压UGS(th)或UT 交流参数 极限参数

2、主要参数三、绝缘栅型场效应管 直流参数*开启电压UGS(th)或UT *夹断电压UGS(off)或UP 交流参数 极限参数

2、主要参数三、绝缘栅型场效应管 直流参数*开启电压UGS(th)或UT *夹断电压UGS(off)或UP *饱和漏极电流IDSS 交流参数 极限参数

2、主要参数三、绝缘栅型场效应管 直流参数*开启电压UGS(th)或UT *夹断电压UGS(off)或UP *饱和漏极电流IDSS *直流输入电阻RGS 交流参数 极限参数

2、主要参数三、绝缘栅型场效应管 直流参数*开启电压UGS(th)或UT *夹断电压UGS(off)或UP *饱和漏极电流IDSS *直流输入电阻RGS 交流参数 *低频跨导gm极限参数

2、主要参数三、绝缘栅型场效应管 直流参数*开启电压UGS(th)或UT *夹断电压UGS(off)或UP *饱和漏极电流IDSS *直流输入电阻RGS 交流参数 *低频跨导gm*极间电容CgsCds 极限参数

2、主要参数三、绝缘栅型场效应管 直流参数*开启电压UGS(th)或UT *夹断电压UGS(off)或UP *饱和漏极电流IDSS *直流输入电阻RGS 交流参数 *低频跨导gm*极间电容CgsCds 极限参数 *最大漏极电流IDM

2、主要参数三、绝缘栅型场效应管 直流参数*开启电压UGS(th)或UT *夹断电压UGS(off)或UP *饱和漏极电流IDSS *直流输入电阻RGS 交流参数 *低频跨导gm*极间电容CgsCds 极限参数 *最大漏极电流IDM *击穿电压U（BR）DS

2、主要参数三、绝缘栅