(4)--1.4晶体三极管的特性曲线和主要参数.pptVIP

第三截止区满足UBE=Uth，UCEUBE即晶体管的发射结和集电结都反偏，对应于IB=0的那条街输出特性曲线一下的区域，由于发射结电压小于死区电压，所以发射区不能向基区发射载流子其实当IB=0时，仍有一个较小的穿透电流ICEO.我我们虽然以NPN型晶体管为例说明的，但是发射结合集电结正偏的结论仍适合PNP型管，为了方便起见，将晶体管的工作状态归纳如下：由此我们可以很容易的判断出如图所示电路中的晶体管所处的工作状态，对于NPN型管T1发射结电压UBE等于-0.3V为反偏，UBC=-3V也为反偏，所以T1处于截止状态。对于NPN管T2发射结电压UBE=0.7V位为正偏，集电结电压UBE=0.2V也为正偏，所以T2处于饱和状态；对于T3管，发射结电压UEB=0.3V位正偏，集电结电压UCB=-2.7V为反偏，所以晶体管处于放大状态。在放大电路中有时需要判断晶体管的三个电极材料及类型，现小结如下：（2）假设测得T1T2三个电极的电位，对于T1，由于U3的电位居中可判断为基极，相差最小的U2可判断为发射极，并且两级电位相差0.7V可判断为硅管，则剩下的U1电极为集电极，由于三个电极电位满足所以称为NPN型晶体管；对于T2，U1的电位居中为基极，与基极电位相差最小的是U2为发射极，并且两级电位相差0.2V为锗管，剩下U3位集电极，由于三个电位满足可知T2为PNP型管。我们已经全面了解了晶体管的特性，那么请同学们思考下在实际电路如何选择晶体管呢？温度对晶体管又有什么影响呢？晶体管的参数是合理选择和正确使用它的依据，并且参数受温度的影响很大。晶体管的主要参数对温度的影响是本将讨论的重点。我们先介绍晶体管的主要参数（1）电流放大系数，共射极电流放大系数分为直流放大系数和交流放大系数β。其中直流放大系数是指共射电路处于静态时在UCE一定条件下，，β是共射电路在交流电压UCE一定条件下。但对于工作在放大区的同一晶体管若输出特性曲线比较平坦并且各条曲线间隔相同，可以认为是理想晶体管同理也可以得到共基极电流放大系数*（2）极间反相电流，ICEO表示基极开路上时，集电极与发射极间的穿透电流，ICBO表示发射极开路时，基极合集电极间的反向饱和电流，。由于ICEOICBO受温度影响较大，所以尽可能选择他们较小的管子，其值越小表明晶体管的质量越高。（3）极限参数，晶体管的安全工作区是由共同确定的。ICM为最大集电极电流，当IC过大时β下降，当β下降到一定值时IC称为ICM.ICM的上方称为过流区，当IC超过ICM时晶体管不一定损坏，但β值却明显下降。PCM为最大集电极耗散功率，对于一个晶体管，它在输出特性曲线上可以用一条双曲线来表示，当集电极功耗超过一定PCM时，集电结会因过热而性能变坏或烧毁，所以把PCM曲线右上方称为过损区。表示基极开路时集电极和发射极之间的反向击穿电压称为过压区，可见使用晶体管是避免使其进去过流区、过损区和过压区，以保证晶体管工作在安全区。由于半导体材料的热敏性，晶体管的参数几乎都与温度有关，下面介绍温度对晶体管特性曲线的影响，对于输入特性温蒂每升高1度，发射结正向压降UBE将减小2-2.5MV,即UBE随温度升高而减小，表现在输入特性曲线向左移动，对于输出特性温度每升高1度，温度每升高10度，ICBO约增加一倍。也随之增大，表现在输出特性曲线不仅间距增大而且上移。请同学们思考下，当我们拿到一个晶体管后，又该如何组成一个放大电路呢，晶体三极管的特性曲线和主要参数晶体三极管基本知识

晶体管及其特性——晶体管的共射特性曲线UCE?1VIB/?AUBE/V204060800.40.8工作压降，硅管UBE?0.6~0.7V,锗管UBE?0.2~0.3V。UCE=0VUCE=0.5V1.输入特性曲线输入特性的表达式它是一簇曲线2.输出特性IC/mAUCE/V100μA80μA60μA40μA20μAIB=0O510154321划分三个区：截止区、放大区和饱和区。截止区放大区饱和区放大区截止区截止区条件：当UCE=UBE，即UCB=0时，称临界饱和，UCEUBE时称为过饱和。IC/mAUCE/V100μA80μA60μA40μA20μAIB=0O510154321饱和区(1)饱和区：（2）放大区：特点：各条输出特性