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硅（001）表面吸附金属铝的第一性原理研究的任务书

任务概述：

本研究任务旨在利用第一性原理计算方法，探究在硅（001）表面吸附金属铝的热力学性质、电子结构以及电子迁移特性，为硅/金属异质结构的制备、性能调控提供有力的理论支撑。

任务内容：

1.建立硅（001）表面吸附金属铝的模型，包括几何结构、晶格常数等参数的确定；

2.利用第一性原理计算方法计算吸附能、结合能、电子密度等热力学性质；

3.分析金属铝吸附前后对硅（001）表面电子结构的影响，计算吸附态与无吸附态能带结构差异，探讨其电子响应的物理机制；

4.进一步探究金属铝吸附在硅（001）表面时的电子迁移行为以及其对界面电学特性的影响。

任务要求：

1.熟练应用第一性原理计算软件，如VASP，QuantumESPRESSO等；

2.具备较好的物理化学背景知识，熟悉金属和半导体物质的基本性质和相互作用机制；

3.具备较强的逻辑思维能力，认真负责，尽职尽责；

4.完成任务后，需撰写详尽的实验报告，并能够对研究结果进行深入讨论和解释。

参考文献：

1.ZhangJY,LuM,WangJ,etal.DensityfunctionaltheoreticalinvestigationsintotheatomicandelectronicstructuresofAlatomsadsorbedonSi(001)surfaces[J].Vacuum,2019,167:302-307.

2.KheirabadiN,EhteshamiS,EbrahimiM.DensityfunctionaltheorystudyoftheadsorptionofAl,Fe,andNiatomsontheSi(001)surface[J].PhysicsLettersA,2016,380(8-9):858-864.

3.HadiAF,NurhudaM,SiregarEK,etal.Densityfunctionaltheorystudyontheadsorptionofaluminumatomonsiliconsurface[J].IndonesianJournalofMaterialsScience,2015,16(4):159-166.