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CMOS装置、其制造方法和包括其的半导体存储器装置.pdfVIP

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  • 2024-03-02 发布于四川
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CMOS装置、其制造方法和包括其的半导体存储器装置.pdf

    本申请涉及CMOS装置、其制造方法和包括其的半导体存储器装置。一种CMOS装置包括半导体基板和形成在半导体基板中的沟槽。该CMOS装置还包括设置在沟槽中的氧化物半导体层，该氧化物半导体层包括源极区域、漏极区域以及在源极区域和漏极区域之间的沟道区域。该CMOS装置还包括位于氧化物半导体层和半导体基板之间的缓冲层、位于氧化物半导体层上的栅极绝缘层、设置在氧化物半导体层的沟道区域上方的栅极绝缘层上的栅电极以及分布在氧化物半导体层的源极区域和漏极区域中的每一个中的杂质。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117637805A

    (43)申请公布日2024.03.01

    (21)申请号202310402018.3H01L29/78(2006.01)

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