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半导体结构的制作方法及半导体结构.pdfVIP

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  • 2024-03-13 发布于四川
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半导体结构的制作方法及半导体结构.pdf

    本公开提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构，涉及半导体技术领域，半导体结构的制作方法包括，提供衬底，衬底包括第一区域和第二区域，第一区域包括多个独立设置的第一有源区，相邻的第一有源区通过第一沟槽隔开，第一沟槽中形成有隔离叠层；形成阻挡层，覆盖第二区域的顶面；形成外延层，覆盖第一有源区的顶面；刻蚀去除阻挡层和位于第一区域的部分隔离叠层，第一区域中被保留的隔离叠层的各层顶面的相接处的高度基本一致。在本公开中，在第一有源区的顶面形成外延层之后，刻蚀去除位于第一区域的部分隔离叠层，以使第一区域被保留

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117693184A

    (43)申请公布日2024.03.12

    (21)申请号202211020370.2

    (22)申请日2022.08.24

    (71)申请人长鑫存储技术有限公司

    地址23

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