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三、Bravais格子(14种)P:简单Bravais格子C:底心Bravais格子I:体心Bravais格子F:面心Bravais格子R:三方Bravais格子H:六方Bravais格子?14种布拉菲原胞1)简单三斜2)简单单斜3)底心单斜4)简单正交5)底心正交6)体心正交7)面心正交8)三角9)简单四方(四角)10)体心四方(四角)11)六角12)简立方13)体心立方14)面心立方几种常见的晶体结构1.元素晶体一维二维二维密排堆积二维正方堆积§1-5一些晶格的实例a.较松散的堆积体心立方(body-centeredcubic,bcc)
堆积简单立方(simplecubic,sc)堆积典型晶体:Li、Na、K、?-Fe???三维配位数:一个原子周围最近邻原子的数目。对于体心立方(bcc)配位数为8。面心立方(face-centeredcubic,fcc)堆积
排列方式:???ABCABC???(立方密堆积)典型晶体:Cu、Ag、Au、Ca、Sr、Al、???b.密堆积:fcc的配位数为12;典型晶体:Be、Mg、Zn、Cd、Ti???密排六方(hexagonalclose-packed,hcp)堆积排列方式:???ABABAB???(六方密堆积)hcp的配位数为12;典型晶体:金刚石、Si、Ge???c.金刚石结构:金刚石的配位数为4;金刚石结构2.简单化合物晶体NaCl结构典型晶体:NaCl、LiF、KBr???CsCl结构典型晶体:CsCl、CsBr、CsI???闪锌矿结构许多重要的半导体化合物都是闪锌矿结构。典型晶体:ZnS、CdS、GaAs、?-SiC???在晶胞顶角和面心处的原子与体内原子分别属于不同的元素。钛酸钡(BaTiO3)的复式晶格BaTiO3的晶格——由Ba、Ti和OI、OII、OIII各自组成的简立方结构子晶格(共5个)套构而成平衡位置,结合能最低的位置.粒子排列采取尽可能的紧密方式.配位数:一个粒子的周围最近邻的粒子数.描述紧密程度.小圆球.密堆积结构:六角密积:ABAB……立方密积:ABCABC……配位数为12,同一层与六个求相切,又和上下层的三个相切。晶体结构最大的配位数。配位数为8:体心,氯化铯型结构配位数为6:氯化钠型结构配位数为4:四面体结构配位数为3:层状结构配位数为2:链状结构§1-6密堆积配位数(一)计算致密度堆积系数(致密度)=晶胞体积晶胞中原子所占的体积fcc结构a每个晶胞有8×1/8+6×1/2=4个原子体心立方最近邻8个,次近邻6个体对角线bcc结构每个晶胞中有:8×1/8+1=2个原子(二)不同原子组成的复合结构,两球半径之比.(1)氯化铯结构:大球的半径是R,大球的中心为立方体的顶角,小球位于立方体的中心,设小球的半径为r,立方体的边长:a=2R.体对角线为(2)氯化纳型结构:小球Na+在中间,与前后左右上下的六个Cl-大球相切,大小球恰好能相切.ABRr符合试验结果根据基本粒子间相互作用为球对称的假设,钠离子和氯离子可以看作小球.不能看作小球时,配位数的概念仍适用.*4、旋转反演:图形绕某一直线旋转一定角度接着经过该直线上一点发生反演之后,图形自洽。二、晶体中八种独立的对称要素旋转对称轴Cn(真旋转)1(C1)2(C2)3(C3)4(C4)6(C6)旋转-反演轴(旋转与反演的复合操作)或i或m=3+i=3+m点群(32种)Sch?nflies符号:用主轴+脚标表示国际符号:以特征方向的对称性来表示主轴:Cn、Dn、Sn、T和OCn:n次旋转轴Sn:n次旋转-反映轴Dn:n次旋转轴加上一个与之垂直的二次轴T:四面体群O:八面体群脚标:h、v、dh:垂直于n次轴(主轴)的水平面为对称面v:含n次轴(主轴)在内的竖直对称面d:垂直于主轴的两个二次轴的平分面为对称面三、非点式对称操作非点式对称操作:是由点式操作与平移操作复合后形成的新的对称
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