PLM_AAA_Unified Description of Charge-Carrier Mobilities in Disordered Semiconducting Polymers【搜狗文档翻译_译文_英译中】.docxVIP

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weekending27MAY2005

PHYSICALREVIEW LETTERS

PRL94,206601(2005)

无序半导体聚合物中电荷载流子迁移率的统一描述

W.F.Pasveer，1J.Cottaar，1C.Tanase，2R.Coehoorn，3P.A.Bobbert，1，*P.W.M.Blom，2

D.德·勒乌3岁，迈克尔1岁

1埃因霍温大学聚合物实验室和荷兰聚合物研究所的聚合物物理学小组，

荷兰埃因霍温5600MB邮政信箱513号

2荷兰格罗宁根市Nijenborgh4，9747，材料科学中心和荷兰聚合物研究所

3菲利普研究实验室，荷兰埃因霍温AA45656Holstlaan教授

(2004年12月8日收到；出版于2005年5月23日)

从具有高斯态密度的无序能量场中跳跃输运主方程的数值解，我们确定了电荷载流子迁移率对温度、载流子密度和电场的依赖关系。基于半导体聚合物的器件中的实验电流-电压特性可以用迁移率的统一描述很好地再现。在室温下，主要是对载流子密度的依赖性起着重要作用，而在低温和高场下，电场依赖性变得重要。过去对载流子密度依赖性的忽略导致了对这些聚合物中跳跃距离和态密度宽度的低估。

DOI:10.1103/physrevlett.94.206601PACS编号: