2013-固体物理总复习.ppt

半导体（semiconductor）的能带结构本征半导体是指纯净的半导体，导电性能在导体与绝缘体之间。?Eg=0.1?2eVE空带（导带）满带禁带本征半导体所以加热、光照、加电场都能把电子从满带激到发空带中去，同时在满带中形成“空穴”（hole）。半导体的禁带宽度ΔEg很窄（0.1～2eV），十、空穴近满带中电子集体运动的一种等价描述，空穴可以看成是：一个带正电荷e，具有正的有效质量，速度v(k)的粒子。空穴和晶体电子一样，都能荷载电流而导电，它们都是载流子；也是准粒子晶体中导电的粒子至少有两种：（1）晶体电子；（2）空穴. 本章要求：能带论的基本假设和周期场模型；Bloch定理和Bloch函数的物理含义；平面波法、紧束缚法推演能带；能带的图示法；有效质量；导体、半导体和绝缘体的解释；空穴近自由电子模型、主要结果及适用的对象，给定简单的周期场，求出近自由电子的能隙；紧束缚近似模型、主要结果（波函数和能量本征值）及适用的对象，会利用紧束缚近似的结果求出简单晶体一维；简单二维；简单三维如简单立方、面心立方、体心立方等结构的s态电子的能带表达式E(k)及能带的宽度；电子能带的对称性及其来源，给定晶体结构，会求出沿给定对称轴自由电子能量最低的前几条曲线的表达式，画出En(0)(k)－k曲线的示意图，并标出各能量曲线的简并度；能态密度的一般表达式，给定E(k)函数，求出相应的能态密度及特殊形状等能面的能态密度；近自由电子的费米面，费米面的构造步骤与修正依据；给定晶体结构和电子浓度（即平均每个原子贡献的价电子数），求相应自由电子的费米半径kF，画出相应的近自由电子在简约区中各能带的费米面图形；简约区的内切球（圆）k1和外接球（圆）半径k2及其相应的饱和电子浓度（即饱和电子－原子比）。电子/空穴的速度；加速度；动量；有效质量；受力等Thankyouforyourattentions!**************位错的产生：晶体的制备与加工过程中引入位错位错的增殖：L型位错源和U型位错源金属中位错的存在是造成金属的强度远低于其理论值的最主要原因本章要求：晶格缺陷的基本类型（点缺陷、线缺陷和面缺陷等）;热缺陷、热缺陷的平衡数目及热缺陷的运动；晶体中原子的扩散（本质：原子无规的布朗运动），扩散系数的测定、扩散系数与温度的关系，扩散的微观机制（空位机制和间隙原子机制）及主要适用范围；离子导电性；位错（刃位错和螺位错），位错的定义，位错的滑移，位错密度，位错的产生与增殖位错与金属强度的关系。第五章金属电子论一、特鲁德经典电子气模型原子实+电子云=自由电子气电子气的浓度n电子的经典半径rs特鲁德模型的成功与失败成功说明：1．金属的直流电导2．金属电子的平均自由时间和平均自由程不能说明：金属的比热；霍尔系数、磁化率等二、索末菲自由电子气模型电子遵循费米—狄拉克统计分布；忽略电子—原子实相互作用以及电子—电子相互作用，只考虑一个电子在晶格平均场和其它电子的平均场中运动费米能级EF-T=0时被电子占据的最高能级费米面-电子的占据态和未占据态的分界面对于自由电子系统，还有费米动量、费米速度，费米温度。对于普通金属，大约有：kF≈108cm-1，EF≈2～10eV，vF≈108cm/s，TF≈104～105K。三、能态密度单位能量间隔内的电子状态数量单位体积自由电子的能态密度g（E）为：E越大，g(E)也越大，能级就越密。第五章金属电子论四、自由电子气的比热 在低温下，声子气比热按T3下降。当T≈10K时，声子气比热会小于电子气比热低温下，金属的总比热为：第五章金属电子论