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利用吸合电极实现亚微米电极间隙的可制造性设计

摘要：提出一种利用吸合电极结构的可制造性设计手段，实现亚微米电极间隙的方法。利用静电力拉

动可动电极位移实现超出光刻和刻蚀能力的超窄间隙，使得敏感电极间隙由１．３ｍ减小至３００ｎｍ，通过

μ

该方法获得的亚微米电极间隙对工艺离散性不敏感，电极间隙的不一致性可以下降个数量级。结合本

１

文提出的ＩＢＡＲ结构的可制造性设计方法，可以实现完整的微机电系统（ＭＥＭＳ）振荡器可制造性设计。２

关键词：吸合电极结构；可制造性设计；亚微米电极间隙；工艺离散性；微机电系统振荡器

Ｄｅｓｉｇｎｆｏｒｍａｎｕｆａｃｔｕｒａｂｉｌｉｔｙｏｆｓｕｂｍｉｃｒｏｎｅｌｅｃｔｒｏｄｅｇａｐ

ｕｓｉｎｇｐｕｌｌｉｎｅｌｅｃｔｒｏｄｅｓ

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ＡｂｓｔｒａｃｔＡｒｅａｌｉｚａｔｉｏｎｍｅｔｈｏｄｆｏｒｓｕｂｍｉｃｒｏｎｅｌｅｃｔｒｏｄｅｇａｐｂｙｕｓｉｎｇｔｈｅｍａｎｕｆａｃｔｕｒａｂｉｌｉｔｙｄｅｓｉｇｎｏｆｐｕｌｌｉｎ

ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅｉｓｐｒｏｐｏｓｅｄ．Ｔｈｅｍｏｖａｂｌｅｅｌｅｃｔｒｏｄｅｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔｉｓｐｕｌｌｅｄｂｙｕｓｉｎｇｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃｆｏｒｃｅ，

ｕｌｔｒａ

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ｎａｒｒｏｗｇａｐｓｂｅｙｏｎｄｔｈｅｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙａｎｄｅｔｃｈｉｎｇａｂｉｌｉｔｙａｒｅａｃｈｉｅｖｅｄｓｏｔｈａｔｔｈｅｓｅｎｓｉｔｉｖｅｅｌｅｃｔｒｏｄｅｇａｐｃａｎｂｅ

ｒｅｄｕｃｅｄｆｒｏｍ１．３ｍｔｏ３００ｎｍ．Ｔｈｅｓｕｂｍｉｃｒｏｎｅｌｅｃｔｒｏｄｅｇａｐａｃｈｉｅｖｅｄｂｙｔｈｉｓｍｅｔｈｏｄｉｓｎｏｔｓｅｎｓｉｔｉｖｅｔｏｔｈｅ

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ｐｒｏｃｅｓｓｄｉｓｐｅｒｓｉｏｎａｎｄｔｈｅｉｎｃｏｎｓｉｓｔｅｎｃｙｏｆｅｌｅｃｔｒｏｄｅｇａｐｃａｎｂｅｒｅｄｕｃｅｄｂｙａｎｏｒｄｅｒｏｆｍａｇｎｉｔｕｄｅ．Ｃｏｍｂｉｎｅｄｗｉｔｈ

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２

ｔｈｅｍａｎｕｆａｃｔｕｒａｂｉｌｉｔｙｄｅｓｉｇｎｍｅｔｈｏｄｏｆｔｈｅｐｒｏｐｏｓｅｄＩ，

ＢＡＲｓｔｒｕｃｔｕｒｅａｃｏｍｐｌｅｔｅｍａｎｕｆａｃｔｕｒａｂｉｌｉｔｙｄｅｓｉｇｎｏｆ

ＭＥＭＳｏｓｃｉｌｌａｔｏｒｃａｎｂｅｒｅａｌｉｚｅｄ．

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Ｋｅｙｗｏｒｄｓｐｕｌｌｉｎｅｌｅｃｔｒｏｄｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅｍａｎｕｆａｃｔｕｒａｂｉｌｉｔｙｄｅｓｉｇｎｓｕｂｍｉｃｒｏｎｅｌｅｃｔｒｏｄｅｇａｐｐｒｏｃｅｓｓｄｉｓｃｒｅｔｅｎｅｓｓ

ＭＥＭＳｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ

０引言偏置电压，从而实现与低电压的ＣＭＯＳ驱动电路的兼容。

相较于已经非常成熟的石英