作业参考答案4-场效应管-集成电路-负反馈.ppt

*根据转移特性判断场效应管类型的方法：参考已讲管型a、b。(b)N沟道增强型MOS管转移特性曲线(a)N沟道结型场效应管(耗尽型)1）vGS=0时：无iD为增强型；有iD为耗尽型。2）增强型必为MOS管；对耗尽型：vGS可正可负的为MOS管，单侧的为JFET。3）沟道：iD=0时，耗尽型管与横轴交点0(VP)的为N沟道；增强型管(MOS)与横轴交点0(VT)的为N沟道。VPVT5.1.1(旧4.3.1)MOSFET的转移特性，说明何种沟道？若增强型，VT=?；若耗尽型VP=?解：(a)vGS=0时，iD≠0：耗尽型；vGS可正可负：MOS管；耗尽型的iD=0时vGS0：N沟道∴N沟道耗尽型MOS管，VP=－3V。(a)IDVGSIDSS20(b)vGS=0时，iD≠0：耗尽型；vGS可正可负：MOS管；耗尽型的iD=0时vGS0：P沟道∴P沟道耗尽型MOS管，VP=2V。(c)vGS=0时，iD=0：增强型、MOS管；增强型的iD=0时vGS0：P沟道∴P沟道增强型MOS管，VT=－4V。(b)VGS0－4(c)与曲线在横轴的上下侧无关。5.2.1Rg1=90kΩ，Rg2=60kΩ，Rd=30kΩ，VDD=5V，VT=1V，Kn=0.1mA/V2。计算VGS和VDS。（1）（2）VDS=VDD-IDRd代入式(a)，得：(a)解：直接代公式。5.3.3（旧4.1.3）：N沟道还是P沟道FET？夹断电压VP和饱和漏极电流IDSS各是多少？解：vGS=0时，iD≠0：耗尽型；vGS单侧：JFET管；耗尽型的iD=0时vGS0：N沟道∴N沟道JFET管，VP=－4V，IDSS=3mA5.3.5（旧4.3.4）哪种类型？(a)(a)P沟道JEFT（b）N沟道耗尽型MOS管（c）P沟道耗尽型MOS管VGS0(d)IDN沟道增强型MOS管5.2.9(旧4.4.4)：FET工作点上的互导gm＝1ms，设rdsRd。（1）画出小信号等效电路；（2）求电压增益Av；（3）求放大电路的输人电阻Ri。解：直接代公式。R1R1RdRd(1)画小信号等效电路：共源组态回顾：中频电压增益计算RL5.3.9(旧4.4.6)：已知gm、rds，且，证明AB两端的小信号电阻rAB为：AsgIABTdB解：5.5.4(旧4.5.4)：电路如图题4.5.4所示，设FET的互导为gm，rd很大；BJT的电流放大系数为β，输入电阻为rbe。试说明T1、T2各属什么组态，求电路的电压增益Av、输入电阻Ri；及输出电阻Ro的表达式。解（1）T1、T2的组态T1为源极输出器（共漏），T2为共射极电路。（2）求Av（3）求Ri和Ro(对于基本共射放大器构成的差放）双端输入单端输入双端输入单端输入双端输出单端输出6.2.2(旧6.2.3类似)：Re1=Re2=100Ω，BJT的β=100，VBE=0.6V，电流源动态输出电阻ro=100kΩ，(1)vi1=0.01V、vi2=－0.01V时，求vo=vO1-vO2=?解：(1)双入双出差模信号，e点交流接地。，其中：T1T2Re1Re2IORc1Rc2vo＋VCC(+10V)2mAvO1vO2+－－VEE(-10V)5.6kΩ5.6kΩvi1vi2e(2)c1、c2间接入负载RL=5.6kΩ时，求v’o(3)单端输出，RL=∞时，vO2=?求Avd2、Avc2和KCMR2的值；T1T2Re1Re2IORc1Rc2vo＋VCC(+10V)2mAvO1vO2+－－VE