《电工电子技术》(曹建林)--PPT课件：5.1-二极管.pptx

第5章常用半导体器件5.1二极管

1PN结及其特性2二极管的结构与伏安特性目录CONTENTS3二极管的主要参数与应用4特殊二极管及其应用

5.1二极管PN结及其特性特殊二极管及其应用二极管的结构与伏安特性二极管的主要参数与应用半导体的导电特性掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力明显改变光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强

5.1二极管PN结及其特性特殊二极管及其应用二极管的结构与伏安特性二极管的主要参数与应用1本征半导体纯净的半导体称为本征半导体。硅单晶中的共价健结构共价健SiSiSiSi价电子半导体的导电性能是由其原子结构决定的，就元素半导体硅和锗而言，其原子序数分别为32和14，它们最外层的电子（价电子）数均为4，原子结构中每一个原子与相邻四个原子结合，形成共价键结构。

5.1二极管PN结及其特性特殊二极管及其应用二极管的结构与伏安特性二极管的主要参数与应用本征激发当材料获得一定能量（温度增高或光照）后，共价键内的电子将成为自由电子（带负电），整个中性原子因失去一个电子而带正电，于是在共价键中就留下一个空位，称为空穴，故空穴带正电，我们把这种现象，称之为本征激发。本征激发现象载流子在外电场作用下，自由电子和空穴都可产生定向移动而形成电流，因而把自由电子和空穴都称为载流子（能够参与导电的带电粒子）。1本征半导体注意：(1)本征半导体中载流子数目极少,其导电性能很差；(2)温度愈高，载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。

5.1二极管PN结及其特性特殊二极管及其应用二极管的结构与伏安特性二极管的主要参数与应用（1）N型半导体2掺杂半导体掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式，称为电子半导体或N型半导体。掺入五价元素SiSiSiSip+多余电子磷原子在常温下即可变为自由电子失去一个电子变为正离子在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）,形成杂质半导体。在N型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。

5.1二极管PN结及其特性特殊二极管及其应用二极管的结构与伏安特性二极管的主要参数与应用2掺杂半导体（2）P型半导体掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或P型半导体。掺入三价元素SiSiSiSi在P型半导体中空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。B–硼原子接受一个电子变为负离子空穴无论N型或P型半导体都是电中性的，对外不显电性。

5.1二极管PN结及其特性特殊二极管及其应用二极管的结构与伏安特性二极管的主要参数与应用1.在杂质半导体中多子的数量与有关。A.掺杂浓度B.温度2.在杂质半导体中少子的数量与有关。A.掺杂浓度B.温度3.当温度升高时，少子的数量。A.减少B.不变C.增多ABC4.在外加电压的作用下，P型半导体中的电流主要是，N型半导体中的电流主要是。A.电子电流B.空穴电流BA思考题

5.1二极管PN结及其特性特殊二极管及其应用二极管的结构与伏安特性二极管的主要参数与应用3PN结在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质,分别形成P型半导体和N型半导体。此时将在它们交界面处形成PN结，PN结具有单向导电性。（1）PN结的形成热平衡状态下PN结中载流子的扩散运动=漂移运动

5.1二极管PN结及其特性特殊二极管及其应用二极管的结构与伏安特性二极管的主要参数与应用（2）PN结的单向导电性当给PN结加正向电压，即P区接外加电源的正极，N区接负极，外电场和内电场方向相反，内电场被削弱，整个空间电荷区就会变窄，多数载流子的扩散运动增强，形成了较大的扩散电流，空穴和电子虽然带不同极性的电荷，但由于他们的运动方向相反，则电流方向一致，这种状态称为PN结的导通状态，这时的电流称为正向电流。–PPNN变宽内电场方向内电场方向外电场方向外电场方向––++I≈0IPN结加正向电压PN结加反向电压变窄++++––––––––––++++++++–3PN结扩散运动漂移运动扩散运动漂移运动

5.1二极管P