《电工电子技术》(曹建林)--PPT课件：5.2-三极管.pptx

第5章常用半导体器件5.2三极管

1晶体管的结构与特性曲线2晶体管的主要参数目录CONTENTS

5.2晶体管晶体管的结构与特性曲线晶体管的主要参数1晶体管的结构晶体管由掺杂半导体三层半导体按一定的方式构成两个PN结，并分别从各自掺杂半导体上引出三个电极，最后将它们用金属或塑料封装而成。晶体管的外形图

5.2晶体管晶体管的结构与特性曲线晶体管的主要参数(1)NPN型C集电极CBE集电区基区发射区发射结集电结基极B发射极EPNNPN型结构NPN型图形符号N1晶体管的结构(2)PNP型ECBNCBEPPNP型结构PNP型图形符号P

5.2晶体管晶体管的结构与特性曲线晶体管的主要参数由实验证明，晶体管在共发射极连接时，当满足发射结加正向电压（称正向偏置），集电结加反向电压（称反向偏置）时，具有电流放大作用。–C3DG6μABE–++UCCUBBRBIBIEIC三极管电流放大实验电路mAmAVT电流实验次数123456IB/μA01020304050IC/mA≈00.661.141.742.332.91IE/mA≈00.671.161.772.372.96晶体管电流放大实验测试数据2电流放大作用

5.2晶体管晶体管的结构与特性曲线晶体管的主要参数（1）三个电流的关系为IE=IC+IB（2）直流放大系数β=（3）交流放大系数β≈（4）IC=βIBIE=IC+IB=（1+β）IBΔIBΔIC——IBIC—2电流放大作用电流实验次数123456IB/μA01020304050IC/mA≈00.661.141.742.332.91IE/mA≈00.671.161.772.372.96晶体管电流放大实验测试数据IBIC2558.2ΔIBΔIC5658605958—

5.2晶体管晶体管的结构与特性曲线晶体管的主要参数（1）输入特性曲线UBE/V806020400.40.8UCE≥1VIB/μA03DG6晶体管的输入特性曲线3特性曲线BECBECUBEUCE=0+-

5.2晶体管晶体管的结构与特性曲线晶体管的主要参数3特性曲线（2）输出特性曲线EBC3DG6晶体管的输出特性曲线9UCE/VIC/mA80μA60μA20μA40μAIB=032103612

5.2晶体管晶体管的结构与特性曲线晶体管的主要参数①截止区IB=0，IC≈0集电极和发射极之间相当于一个断开的开关。②饱和区UCES≈0集电极和发射极之间相当于一个闭合的开关。③放大区IC=βIB具有电流放大作用3特性曲线（2）输出特性曲线EBC3DG6晶体管的输出特性曲线

5.2晶体管晶体管的结构与特性曲线晶体管的主要参数3特性曲线（2）输出特性曲线工作状态PN结偏置特点等效应用放大发射结正偏集电结反偏IC=βIB电流控制器件放大饱和发射结正偏集电结正偏UCES≈0闭合开关开关截止发射结反偏集电结反偏IC≈0断开开关开关

5.2晶体管晶体管的结构与特性曲线晶体管的主要参数极间反向电流（1）集-基极反向漏电流ICBO当发射结开路，集电结上加一反向电压时，流过集电结的反向电流称集-基极反向漏电流ICBO。ICBO越小，说明管子受温度的影响越小。在室温下，小功率锗管的ICBO约为10μA，小功率硅管的ICBO则小于1μA。（2）集-射极反向截止电流ICEO当基极开路时，流过集电极与发射极之间的反向电流称集-射极反向截止电流ICEO，也称为穿透电流。该电流越大，热稳定性越差，故ICEO也是越小越好。

5.2晶体管2极限参数（1）集电极最大允许电流ICM晶体管的集电极电流IC如果超过一定数值时，它的电流放大倍数β将显著下降。当β下降到正常值的2/3时所对应的集电极电流值，称为集电极最大允许电流ICM。（2）集—射极击穿电压U(BR)CEO基极开路时，允许加在集电极和发射极之间的最大电压称为集—射极击穿电压U(BR)CEO。当UCE超过U(BR)CEO时，集电极电流大幅度上升，说明管子