Cr3+掺杂的宽带近红外荧光粉研究进展.docxVIP

第3期328?339第41

第3期328?339

第41卷

2024年3月

CHINESEJOURNALOFAPPLIEDCHEMISTRY

DOI：10.19894/j.issn.1000-0518.230288Cr3+掺杂的宽带近红外荧光粉研究进展

卢紫微1，2刘永福1*罗朝华1孙鹏1蒋俊1*

1（中国科学院宁波材料技术与工程研究所，宁波315201）

2（宁波大学材料科学与化学工程学院，宁波315211）

摘要荧光转换型近红外发光二极管（NIRpc-LED）具有体积小、谱带宽和峰位易调谐等优点，是新一代NIR光源发展的前沿，其关键在于研发可被蓝光有效激发的高效率宽带近红外荧光粉。面向广泛研究的Cr3+激活近红外发光材料，本文综述了发射峰在800~900nm波段材料发展现状。基于磷酸盐、硼酸盐和硅锗酸盐等体系，阐述了其结构特征与近红外发光峰位、谱带宽度的关系，以及采用工艺优化、组分调节和共掺杂等方法调控近红外发光效率、热稳定性能的效果。

关键词近红外荧光粉；800~900nm；Cr3+；Yb3+；磷酸盐；硼酸盐；硅锗酸盐

中图分类号：O644文献标识码：A文章编号：1000-0518（2024）03-0328-12

近红外光谱技术具有无损伤、穿透性好等优点，在无损检测、食品安全、夜视与医疗成像等领域具有广泛应用［1-5］。近红外光谱技术与便携式智能设备的快速发展对近红外光源提出了器件小型化、光谱宽带化的要求。传统近红外光源，如白炽灯、卤素灯和近红外激光器，谱带宽、体积大和能耗高。近红外发光二极管（Near-infraredlight-emittingdiode，NIRLED）体积小、能耗低，但其发光范围窄（＜50nm）［6-7］。为此，研究者们提出荧光转换型（Phosphor-converted，PC）近红外发光二极管（NIRpc-LED）技术方案：在蓝光芯片上涂覆近红外荧光粉实现近红外光发射，其具有体积小、节能环保、谱带宽和寿命长等优点［8-9］。适合蓝光激发的高效宽带近红外荧光粉成为研究的重点。

Cr3+激活的近红外发光材料得到广泛研究，蓝光激发下其发光波段通常在700~1200nm。其中，发光波段在700~800nm的近红外荧光材料的内量子效率（IQE=70%~100%）和热稳定性（一定温度下的发光强度比，例如423和298K温度下的发光强度比，I423K/I298K=69.1%~97.3%）普遍较高［8］。受制于“能隙律”，随着近红外发光波长的红移，晶体场强度减弱，发光能级间的间隙减小，非辐射跃迁增强，其发光效率及热稳定性逐渐降低［6，8］。为了提高近红外发光材料的量子效率、热稳定性等，研究者们提出了优化工艺改善材料形貌、调控组分调节晶体场或带隙和共掺杂敏化剂实现能量传递等策略［10-12］。本文综述了2018－2023年报道的Cr3+激活发射峰在800~900nm的近红外荧光材料发展，基于ALnP2O7∶Cr3+（A=Li，Na，K；Ln=Al，Ga，Sc，In，Lu）型磷酸盐（IQE=14.9%~78.9%，I423K/I298K=5%~85.4%）［13-23］、XBO3∶Cr3+（X=Sc，In，Lu）和ALn3（BO3）4∶Cr3+（A=Y，La；Ln=Sc，Y，Ga）型硼酸盐（IQE=23.3%~65.8%，I423K/I298K=21%~60%）［24-31］、ALn（Si，Ge）2O6∶Cr3+（A=Li，Na，Mg，Ca；Ln=Sc，In，Mg）型硅锗酸盐（IQE=21%~81.2%，I423K/I298K=25%~92%）［32-46］等材料，介绍了晶体结构与发射峰位、谱带宽度的关系及其发光效率和热稳定性等性能优化方法，为后续研究提供了科学依据。

1材料体系

1.1ALnP2O7：Cr3+型磷酸盐

ALnP2O7磷酸盐属于单斜晶系，其以［PO4］或［P2O7］为结构单元，Ln格位阳离子与氧原子形成八面体，Cr3+占据八面体格位［13-23］。ALnP2O7∶Cr3+材料体系的近红外发光性能列在表1中。以图1A的

2023-09-22收稿；2023-12-11接受

国家自然科学基金（N