晶体生长方法.ppt

弧熔法是将压结的粉末状原料装于耐火砖槽内，插入料块中的石墨电极放电，使料块中心部分熔化，熔体由周围未熔化的料块所支持，然后，降低加热功率，晶体自发形核并长大。优点：可以生长熔点很高的氧化物晶体，生长方法简单、迅速缺点：投料多，晶体完整性差，生长过程也难以控制。5.弧熔法第31页,共47页，2024年2月25日，星期天焰熔法（火焰法，Verneuilmethod)，是一种最简单的无坩埚生长方法，十九世纪就被用来进行宝石的生长，并且沿用至今焰熔法主要用来生长宝石（氧化铝）、尖晶石、氧化镍等高熔点晶体，其原理是利用氢气和氧气在燃烧过程中产生的高温，使一种疏松的原料粉末通过氢氧焰撒下熔融，并落在一个冷却的结晶杆上结成单晶。6.焰熔法第32页,共47页，2024年2月25日，星期天焰熔法的优点：不用坩埚，无坩埚污染问题。可以生长高熔点氧化物晶体。生长速度快，可生长较大尺寸的晶体。设备简单，适用于工业生产。焰熔法的缺点：火焰温度梯度大，生长的晶体缺陷多。易挥发或易被氧化的材料不宜使用。生长过程中，原料的损失严重。6.焰熔法第33页,共47页，2024年2月25日，星期天助熔剂法(早期称为熔盐法)，又称高温溶液生长法。基本原理：将晶体的原成分在高温下溶解于低熔点助熔剂熔液内，形成均匀的饱和溶液；然后通过缓慢降温或其他办法，形成过饱和溶液．使晶体析出。助熔剂法晶体生长的特点：(1)三维成核要求的过饱和度一般都比较大，晶体生长阶段所需要的过饱和度也比较高；(2)晶体生长阶段一般遵从螺型位错生长机制，或通过顶角和晶棱成核；(3)由于助熔剂黏度比水溶液大得多，边界层较厚，晶体生长速度主要受溶质穿过边界层的扩散过程限制；(4)热量输运对晶体生长的影响可忽略。四、助熔剂法生长单晶第34页,共47页，2024年2月25日，星期天优点：(1)适用性很强几乎对所有的材料，都能够找到一些适当的助熔剂，从中将其单晶生长出来；(2)生长温度低适合许多难熔的化合物和在熔点极易挥发或由于变价而分解释出气体的材料，以及非同成分熔融化合物；(3)生长出的晶体可以比熔体生长的晶体热应力更小、更均匀完整；(4)助溶剂生长设备简单坩埚及单晶炉发热体、测温和控温都容易解决。缺点：晶体生长的速度较慢、生长周期长、晶体一般较小。许多助熔剂都具有不同程度的毒性，其挥发物还常常腐蚀或污染炉体。四、助熔剂法生长单晶第35页,共47页，2024年2月25日，星期天四、助熔剂法生长单晶第36页,共47页，2024年2月25日，星期天①简单离子性盐类，如LiF。一般来说，它们的溶解能力较低，并不经常使用。②极性化合物，如Bi2O3、PbO、PbF2等。它们在熔融状态导电性强、溶解能力强，常与溶质形成复杂的离子团，具有很强的离子性。氧化铅对许多晶体都具有很强的溶解能力。③网络液体，如B2O3和BaO-B2O3。硼化物因其熔点低、挥发性低，所以广泛用作助熔剂，特别适用于籽晶生长。但硼化物具有坚固的O-B-O键链，形成网络结构，具有较高的黏性。④复杂反应溶液，如钨酸盐、钥酸盐、卤化物等，其应用并不广泛。晶体成分与助熔剂溶液有较强的键合，晶体生长过程中，伴随着化学反应。助熔剂的类型第37页,共47页，2024年2月25日，星期天①对晶体材料应具有足够强的溶解能力。②在尽可能宽的温度范围内，所要的晶体是惟一的稳定相。③应具有尽可能小的黏性，以便得到较快的溶质扩散速度和较高的晶体生长速度。④应具有尽可能低的熔点和尽可能高的沸点．以便选择方便的和较宽的生长温度范围。⑤应具有很小的挥发性(助熔剂蒸发法除外)、腐蚀性和毒性不伤害坩埚材料，如铂金。⑥应易溶于对晶体无腐蚀作用的溶剂中，如水、酸、碱等，以便容易将晶体从助熔剂中分离出来。助熔剂的选择第38页,共47页，2024年2月25日，星期天所谓气相法生长晶体，就是将拟生长的晶体材料通过升华、蒸发、分解等过程转化为气相，然后通过适当条件下使它成为饱和蒸气，经冷凝结晶而生长成晶体。气相法晶体生长的特点是：生长的晶体纯度高；生长的晶体完整性好；晶体生长速度慢；有一系列难以控制的因素，如温度梯度、过饱和比、携带气体的流速等。目前，气相法主要用于晶须生长和外延薄膜的生长（同质外延和异质外延），而生长大尺寸的块状晶体有其不利之处。五、用气相法生长单晶第39页,共47页，2024年2月25日，星期天气相法主要可以分为两种：物理气相沉积（PhysicalVaporDeposition,PVD）：用物理凝聚的方法将多晶原料经过气相转