原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
单晶硅生长用石英坩埚技术规范
1范围
本文件规定了单晶硅生长用石英坩埚的产品分类、规范尺寸、技术要求、实验方法、检验规则及包
装运输等要求。
本文件适用于高纯石英（二氧化硅）做原料，采用电弧法工艺生产，应用于直拉法生长单晶硅材料
的石英坩埚。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，
仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本
文件。
GB/T3284石英玻璃化学成分分析方法
GB/T32652多晶硅铸锭石英坩埚用融石英料
JC/T687玻璃水平钢化炉用熔融石英陶瓷辊
JC/T2067太阳能多晶硅用熔融石英陶瓷坩埚
3术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
3.1杂质点
石英坩埚中有杂质的点。
3.2划伤
石英坩埚内表面的现状损伤。
3.3气泡
石英坩埚壁内的空穴。
3.4附着物
石英坩埚表面上附着的固体物。
3.5析晶
石英坩埚在特定温度下析出晶体，造成透明层失透。
3.6凹坑
石英坩埚内表面的凹陷的坑。
3.7崩边
1
石英坩埚端口的缺失或伤疤。
3.8椭圆度
石英坩埚圆柱部分同一横截面上最大、最小直径之差。
3.9表面沾污
石英坩埚表面的不干净膜、变色、喷溅、指纹以及其他污染物。
3.10偏壁度
石英坩埚圆柱部分同一横截面上最大、最小壁厚之差。
4产品分类
化学成分：高纯石英（二氧化硅）、按用途分为太阳能级石英坩埚（T级）和半导体级石英坩埚（B
级）
4.1外观
在不低于36W双管日光灯下，光源与石英坩埚距离不超过600mm，目测，缺陷尺寸采用分度值不大于
0.02mm的游标卡尺进行测量。
表1坩埚外观质量要求
允许范围
缺陷名称
D≤305mm305mm＜D≤457mmD＞457mm
划伤距坩埚端口40mm以下的内表面不允许；40mm范围以内的内表面允许有轻微划伤
裂纹不允许
位于坩埚内表面的杂质点：φ位于坩埚内表面的杂质点：φ位于坩埚内表面的杂质点：φ
≥1.5mm的杂质点不允许存≥1.5mm的杂质点不允许存≥1.5mm的杂质点不允许存
在；0.5mm≤φ＜1.5mm的杂在；0.5mm≤φ＜1.5mm的杂在；0.5mm≤φ＜1.5mm的杂
质点不应超过2个；0.3mm≤质点不应超过3个；0.3mm≤质点不应超过4个；0.3mm≤
φ＜0.5mm的杂质点不应超φ＜0.5mm的杂质点不应超φ＜0.5mm的杂质点不应超
过5个；小于0.3mm的杂质过8个；小于0.3mm的杂质过10个；小于0.3mm的杂质
杂质点
点不计。点不计。点不计。
位于坩埚内的杂质点：φ≥位于坩埚内的杂质点：φ≥位于坩埚内的杂质点：φ≥
2.0mm的杂质点不允许存在；3.0mm的杂质点不允许存在；3.0mm的杂质点不允许存在；
1.5mm≤φ＜2.0mm的杂质点1.5mm≤φ＜3.0mm的杂质点1.5mm≤φ＜3.0mm的杂质点
不应超过3个；0.5mm≤φ＜不应超过3个；0.5mm
文档评论（0）