发光与光电耦合器.pptVIP

*工作原理UA1UA2时，控制极相对于A2加正脉冲，晶闸管正向导通，电流从A1流向A2。UA2UA1时，控制极相对于A2加负脉冲，晶闸管反向导通，电流从A2流向A1。A1A2G第127页,共132页，2024年2月25日，星期天*光控可控硅元件又称作光激发可控硅或光控硅晶闸管。这种元件是在四层（P-N-P-N）三端普通可控硅整流元件的基础上发展起来的，特点是在控制极区以光触发代替电触发。光触发与电触发相比，具有很多优点。在一些场合可以用光控可控硅元件取代光敏二、三极管，因为光敏二极管、光敏三极管的输出电流小，在实际的应用中往往需要附加放大、整形、输出等电路；而单个光控可控硅元件输出电流可达安培级，同时电流大小不随光强变化而变化。因此光控可控硅已作为自动控制元件而广泛应用于光继电器，自控、隔离输入开关，光计数器，红外探测器，光报警器等方面。3.光控可控硅元件第128页,共132页，2024年2月25日，星期天*?1IbIb?2?1Ib结构和工作原理：NPN衬底P光光控可控硅元件由P-N-P-N四层构成，通常光控可控硅只有两个极，即阳极（A）和阴极（K）。它的结构如图所示，在N型硅单晶衬底的一侧依次扩散P型和N型的杂质，形成N-P-N结构；在另一侧采用合金法或扩散法做出P型层；至此形成了P-N-P-N结构的管心；接着把管心置于阳极基座上，焊压阴极引线；最后，封装在透明外壳（玻璃）中。AK结构示意图等效电路图电路符号AK第129页,共132页，2024年2月25日，星期天*双向可控硅是一种很普通的由可控硅整流器即SCR发展改进的器件，它也可用于光触发形式。将一只SCR和一只LED密封在一个封装中，就可以构成一只光耦合的SCR；而将一只双向可控硅和一只LED密封在一个封装中就可以制成一只光耦合的双向可控硅。4．光电耦合双向可控硅图6-45光耦合可控硅图6-46光耦合双向可控硅第130页,共132页，2024年2月25日，星期天*图是用光电耦合双向可控硅控制小功率灯泡的电路图。第131页,共132页，2024年2月25日，星期天感谢大家观看第132页,共132页，2024年2月25日，星期天*****(b)达林顿隔离光电耦合器达林顿光电耦合器(图b)也是密封在一个六引脚的封装当中，而且其光敏三极管的基极亦引到封装之外以供使用。由于达林顿管的高电流增益，因此其有效带宽仅为30kHz。第95页,共132页，2024年2月25日，星期天*图c和图d所示的双和四光电耦合器都是利用单只光敏三极管作为输出级的，而这些光敏三极管的基极却不能外部引用。(c,d)隔离双光电和四光电耦合器第96页,共132页，2024年2月25日，星期天*1.以上四种器件里，输入引脚都是在封装的某一边上而输出引脚则是在封装的另一边上。这种结构有利于增加隔离电压的最大可能值。前后级间电阻可达到109～13欧姆。因此又统称为隔离光电耦合器2.双光和四光电耦合器件中，尽管它们具有1.5KV的隔离电压值，但是在相邻通道之间所出现的电位差却绝对不允许超过500V。注意：第97页,共132页，2024年2月25日，星期天*(2)光电传感器（光电开关）按结构的不同光传感器又可分为透射型（又称为光断续器）和反射型两种(e)开槽型光电耦合器件透射型传感器是将相互之间保持一定距离的发光器件和光接收器件相对组装而成，如图，它可以通过两器件之间时引起的透射光量的变化来检测物体第98页,共132页，2024年2月25日，星期天*反射型光传感器则是把发光器件和光接收器件相互间以某一交叉角度安放在同一方向，如图，它可以检测物体经过时反射光量的变化，通过这些光量变化可自动检测物体的数目、长度。(f)反射型光电耦合器件第99页,共132页，2024年2月25日，星期天*光电耦合器件的主要特性为隔离特性与传输特性。6.4.2光电耦合器件的特性参数1.传输特性——输入与输出间的特性（1）电流传输比β在直流工作状态下，光电耦合器件的集电极电流Ic与发光二极管的注入电流IF之比定义为光电耦合器件的电流传输比，用β表示：第100页,共132页，2024年2月25日，星期天*如图6-31所示为光电耦合器件的输出特性曲线，在其中部取一工作点Q，它所对应的发光电流为IFQ，对应的集电极电流为ICQ。该点的电流传输比为(6-17)在传送小信号时，用微小变量定义交流电流传输比(6-18)第101页,共132页，2024年2月25