IC版图设计-第五章.pptVIP

（3）叠层电容器利用metal1或第二层多晶硅覆盖在第一层多晶硅之上形成第三层极板，增大电容值。金属-多晶硅-扩散区电容3、电容值误差——边缘电容理想平板电容器的电场线是直线，但实际情况下，在靠近边缘地方的会发生弯曲，越靠近边缘，弯曲越严重。称为极板边缘效应。极板边缘处的电场分布不均匀，造成电容的边缘效应，这相当于在电容里并联了一个附加电容。由于集成电路中电容器上下极板交错分布，面积不等，极板边缘效应更加明显为了减小边缘电容的影响，版图设计中尽量不拆分电容关于实验一次版图分析实验，三次版图设计实验版图分析实验报告应有实验结果为分析所得电路。最好分析出电路功能版图设计实验报告应有实验结果为版图照片截图、验证结果截图**电容两个电极之间的电压V和电容储存的电荷Q之间关系。*1、一定工作电压下，电介质的厚度有一最小值，低于最小值则不能保证电介质的有效隔离。2、表5-1列出了集成电路中常用材料的相对介电常数。*1、P148图5-3*如P149图5.5所示。*P150图5.6，多晶硅-有源区电容P150图5.7，多晶硅-N阱电容*P151图5.9*P152图5.11*P152图5.12，多晶硅-多晶硅电容的寄生效应示意图。*电容一、电容概述电容器：能够存储一定量电荷(一定数目电子)的器件。电容：电容器储存电荷的能力。单位：法拉（F）两块导电材料中间存在绝缘介质就会形成电容分立器件形式的电容分类陶瓷电容云母电容玻璃膜电容纸质电容铝电解电容钽电容电容C为电容，法(F)。1F是一个非常大的电容值。大多数分立电路使用的电容都在几皮法(1pF=10-12F)至几千微法(1μF=10-6F)范围内。平板电容集成电路是平面加工工艺，所以在集成电路中，所有的电容都是平板电容。由两块导电平板构成，两块导电平板被称为电介质的绝缘材料隔开，电荷就储存在这个电介质中。平板电容平板电容的电容值：获得大的电容：利用介电常数大的材料；减小电介质的厚度。平板电容利用介电常数大的材料某些材料，如钛酸锶钡的相对介电常数可达几千，但其制作成本太高，应用范围有限。减小电介质的厚度但当电介质厚度减小时，其内部电场强度会增加，太大的电场会导致介质击穿，从而隔离失效。平板电容计算出的电容值略小于实际值：实际上，电容不仅存在于两平板之间，在平板边缘也存在电场（边缘效应）。边缘电容由于边缘效应而产生的电容。存在于极板的四个边。边缘效应的存在相当于增大了平板面积。如果平板尺寸远大于电介质厚度，边缘效应可被忽略电容的分类集成电路中电容主要包括：多晶硅-多晶硅电容多晶硅-扩散区电容金属-多晶硅电容金属-金属电容多晶硅-多晶硅电容双层多晶硅电容，利用多晶硅材料作为电容的上下平板，场氧化层做电介质；对多晶硅进行重掺杂，以降低电阻率；多晶硅-多晶硅电容制作在场区，场氧化层较厚，将电容和衬底隔开，故其电容的寄生参数小，且无横向扩散影响。多晶硅-多晶硅电容实际的多晶硅-多晶硅电容版图电容标示层第一层多晶硅（多晶硅1）第二层多晶硅（多晶硅2）金属1多晶硅1与金属1接触孔多晶硅2与金属1接触孔多晶硅-扩散区电容假如某集成电路制造工艺只能制备单层多晶硅，那么该工艺可制造多晶硅-扩散区电容。该电容上极板为多晶硅，下极板为扩散区。扩散区可以是有源区，也可以是N阱。多晶硅-有源区电容，多晶硅-N阱电容金属-多晶硅电容多晶硅作为电容的下极板，金属作为电容的上极板；与多晶硅-多晶硅电容相似；制作在场区，由于场氧化层的存在，使下极板多晶硅与衬底之间的寄生电容较小；金属-金属电容上下极板都是金属构成；不存在PN结，消除了结电容，对电压的依赖消失；精度高，匹配性好；须确保上下两层金属不能短路；金属-金属电容需要一层较厚的电介质材料来隔离不同的金属层；由于金属层之间距离增加，为得到和其他电容相同的电容值，金属板的面积将大大增加；金属-金属电容为减小金属-金属电容所占面积，可制备叠层金属电容；多层金属平板垂直地堆叠在一起，从上至下，每两层金属之间都存在电容；奇数层金属连接一起作为一个电极，偶数层金属连接一起作为另一个电极电容的寄生效应任何时刻，只要有一块导电材料跨过另一块导电材料且二者之间还存在电介质，就会形成一个电容器；这种不希望存在却偏偏存在的电容称为寄生电容；版图设计中，尽量减小寄生电容；尽量不要让其他导线从电容上跨过；电容的匹配规则匹配电容的图形要尽量相同精确匹配电容的尺寸应该采用正方形匹配电容的大小要适当