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GaN一维材料的生长与表征的开题报告

题目：GaN一维材料的生长与表征

一、研究背景与意义

GaN作为一种重要的半导体材料，在LED、激光器、功率器件等领域有着广泛的应用。在这些应用中，一维GaN纳米材料因其超高比表面积、异质接口和量子尺寸效应等特性，被认为是更加具有应用前景的材料。然而，GaN一维纳米材料的生长技术和表征方法仍然面临着很多挑战。

二、研究内容

1.GaN一维纳米材料的生长技术研究

介绍目前常使用的GaN一维材料生长方法，包括金属有机化学气相沉积法(MOCVD)、分子束外延法(MBE)和气相传输方法等。并探究这些方法的优缺点和现有的优化策略。

2.GaN一维纳米材料的表征方法研究

介绍常用的一维GaN纳米材料表征方法，包括扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、拉曼光谱、荧光光谱和X射线衍射(XRD)等。详细讨论每种表征方法的原理、应用和优缺点，以及结合实验探讨如何更好地应用这些方法。

三、研究计划

1.文献资料调研，对GaN一维纳米材料的生长技术和表征方法进行深入了解。

2.利用MOCVD和MBE生长GaN一维纳米材料样品，并对样品的结构、形貌进行表征。

3.利用SEM、TEM、拉曼光谱、荧光光谱、XRD等多种表征手段，对生长的GaN一维纳米材料进行系统的表征。

4.分析和比较各种表征方法的优缺点，总结出合理的结合使用方案。

5.最后根据实验结果，对GaN一维纳米材料的生长和表征进行探讨和总结，为进一步的研究提供参考。

四、研究成果

1.详细总结了GaN一维纳米材料的生长技术和表征方法。

2.成功利用MOCVD和MBE生长出了GaN一维纳米材料样品，并对其进行了结构、形貌等表征。

3.通过SEM、TEM、拉曼光谱、荧光光谱、XRD等多种表征手段，对GaN一维纳米材料进行了系统的表征。

4.分析和比较了各种表征方法的优缺点，并总结出合理的结合使用方案。

5.根据实验结果，对GaN一维纳米材料的生长和表征进行了探讨和总结。

五、参考文献

[1]徐新余,张劲柏.GaN异质器件[M].北京:科学出版社,2010.

[2]C.C.Hu,D.T.Kuo,C.W.Lin,etal.LuminescencepropertiesofGaNnanowiresgrownbyAu-catalyzedchemicalvapordeposition[J].Nanotechnology,2007,18(11):115705.

[3]S.H.Lim,B.H.Hong,S.K.Lim,etal.GrowthandcharacterizationofGaNnanowiresbyplasma-assistedmolecularbeamepitaxy[J].Nanotechnology,2006,17(10):2556.

[4]Y.Zhao,S.Chen,Z.Li,etal.CatalyticplasmaenhancedchemicalvapordepositionofGaNnanowiresusinggoldcolloids[J].Nanotechnology,2008,19(6):065604.